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期末考题目卷ex20110117

半導體材料與元件期末考 2011/01/17 19:00 中興大學奈米科學研究所 /物理系孫允武注意事項： 1.總分 170 分，試題共6頁。 2.請依題次作答並標明題次。 3. CLOSE BOOK!! 4.時間 110 分鐘。 5.你可能需要的數據及公式： AqD n2 AqD n2  Q Q n i p i q / kT p n 10 -3 i  e D   1  , for Si, n =1.0×10 cm D  L N L N    i  n A p D  p n  I S    2 V V 1 1 x 12 Si bi D   d xd  , Cj , 1.05 10 F/cm   Si q N A N D  Si kT N N V ln A D , kT/q=25.8mV bi 2 q ni  C T I d D V T MOSFET 之公式： 2 I =(W/L)k ( V -V ) /2; I =(W/L)k ( V -V -V /2) V 。 k=C 。 D GS t D GS t DS DS ox   （for NMOS ）,  。 V V  2 V  2  2 qN C t t 0 p S subs p Si A ox 2qN  (2 ) A s p 2