第一章半导体基础知识及二极管电路.pptVIP

基本要求 小结 部分国产半导体高频二极管参数表 发光二极管的主要特性 2、 光电二极管 半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下，很容易脱离共价键而成为自由电子，因此可以用PN结构成光敏二极管。光敏二极管的反向电流与光照度成正比，用感光灵敏度来衡量。典型值为：0.1μA/Lx 反向击穿电压 最小允许电流 最大允许电流 一. 稳压二极管 1.2.6 特殊二极管 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 稳压管在使用时应串接限流电阻以保证反向电流值在合适范围内。 二. 变容二极管 1.2.6 特殊二极管 特点： 1、内部为金属半导体结，也具有单向导电性 2、电子（多子）导电 没有少子存储现象 工作速度快。 3、势垒区薄 正向导通电压和反向击穿电压都低。 1.2.6 特殊二极管 三. 肖特基二极管 N型硅中的自由电子比金属中的自由电子更容易克服原子的束缚而逸出 材料和结构： 发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成,由于电子空穴的复合产生发光能量，是一种电变成光的能量转换器件。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 1、发光二极管 1.2.6 特殊二极管 四. 光电子器件 单个发光二极管 七段显示发光二极管 1.5~8 0.5~1 2.2~2.4 磷化镓 565 绿 3~8 1~3 2.0~2.2 磷砷化镓 583 黄 5~10 2~4 2.0~2