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- 2017-06-23 发布于四川
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5.1 概述 霍尔元件 强磁体薄膜磁阻器件 半导体磁阻器件 5.2 霍尔元件 5.2 霍尔元件 f1 =ev×B 式中: e—电子电荷; v—电子运动平均速度; B——磁场的磁感应强度 5.2 霍尔元件 5.2.2 影响霍尔效应的因素 磁场与元件法线的夹角 元件的几何形状 5.2.2 影响霍尔效应的因素 控制电极对UH的短路作用 5.2.3 霍尔元件基本结构 霍尔元件基本结构 5.2.4 霍尔元件基本特性 额定激励电流和最大允许激励电流 输入电阻和输出电阻 不等位电势和不等位电阻 寄生直流电势 霍尔电势温度系数 乘积灵敏度K 磁灵敏度SB: 5.2.5 霍尔元件基本特性 霍尔输出电势与控制电流(直流或交流)之间的关系(即UH—I特性)。 5.2.5 霍尔元件基本特性 霍尔输出电势与直流控制电压之间的关系(即UH一V特性) 霍尔输出与磁场(恒定或交变)之间的关系(即UH一B特性) 5.2.5 霍尔元件基本特性 元件的输入或输出电阻与磁场之间的关系(即R一B特性) 5.2.6 霍尔元件不等位电势补偿 5.2.7 霍尔元件温度补偿 霍尔元件输入电阻温度补偿 霍尔元件灵敏系数KH温度补偿 热敏电阻补偿法 5.2.7 霍尔元件
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