半导体物理学习题答案(有目录).doc

半导体物理习题解答 目录 TOC \o 1-1 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc312329414 1－1．（P32）设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： PAGEREF _Toc312329414 \h 2 HYPERLINK \l _Toc312329415 1－2．（P33）晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 PAGEREF _Toc312329415 \h 3 HYPERLINK \l _Toc312329416 3－7．（P81）①在室温下，锗的有效状态密度Nc＝1.05×1019cm－3，Nv＝5.7×1018cm－3，试求锗的载流子有效质量mn*和mp*。 PAGEREF _Toc312329416 \h 3 HYPERLINK \l _Toc312329417 3－8．（P82）利用题7所给的Nc和Nv数值及Eg＝0.67eV，求温度为300k和500k时，含施主浓度ND＝5×1015cm-3，受主浓度NA＝2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？ PAGEREF _Toc312329417 \h 4 HYPERLINK \l _Toc312329418 3－11．（P82）若锗中杂质电离能△ED＝0.01eV，施主杂质浓度分别为ND＝1014cm-3及1017cm-3，计算(1)99%电离，(2)90%电离，(3)50%电离时温度各为多少？ PAGEREF _Toc312329418 \h 5 HYPERLINK \l _Toc312329419 3－14．（P82）计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 PAGEREF _Toc312329419 \h 6 HYPERLINK \l _Toc312329420 3－18．（P82）掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一般电离时费米能级的位置和磷的浓度。 PAGEREF _Toc312329420 \h 7 HYPERLINK \l _Toc312329421 3－19．（P82）求室温下掺锑的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 PAGEREF _Toc312329421 \h 7 HYPERLINK \l _Toc312329422 3－20．（P82）制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的EF位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。 PAGEREF _Toc312329422 \h 8 HYPERLINK \l _Toc312329423 4－1．（P113）300K时，Ge的本征电阻率为47Ω·cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/V·S和1900cm2/V·S，试求本征Ge的载流子浓度。 PAGEREF _Toc312329423 \h 8 HYPERLINK \l _Toc312329424 4－2．（P113）试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V·S和500cm2/V·S。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？ PAGEREF _Toc312329424 \h 8 HYPERLINK \l _Toc312329425 4－13．（P114）掺有1.1×1016 cm-3硼原子和9×1015 cm-3磷原子的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。 PAGEREF _Toc312329425 \h 9 HYPERLINK \l _Toc312329426 4－15．（P114）施主浓度分别为1013和1017cm-3的两个Si样品，设杂质全部电离，分别计算：①室温时的电导率。 PAGEREF _Toc312329426 \h 9 HYPERLINK \l _Toc312329427 5－5．（P144）n型硅中，掺杂浓度ND＝1016cm-3，光注入的非平衡载流子浓度Δn＝Δp＝1014cm-3。计算无光照和有光照时的电导率。 PAGEREF _Toc312329427 \h 9 HYPERLINK \l _Toc312329428 5－7．（P144）掺施主杂质的ND＝1015cm-3n型硅，由于光