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半导体物理学习题答案(有目录).doc

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半导体物理学习题答案(有目录)

半导体物理习题解答 目录 TOC \o 1-1 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc312329414 1-1.(P32)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为: PAGEREF _Toc312329414 \h 2 HYPERLINK \l _Toc312329415 1-2.(P33)晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 PAGEREF _Toc312329415 \h 3 HYPERLINK \l _Toc312329416 3-7.(P81)①在室温下,锗的有效状态密度Nc=1.05×1019cm-3,Nv=5.7×1018cm-3,试求锗的载流子有效质量mn*和mp*。 PAGEREF _Toc312329416 \h 3 HYPERLINK \l _Toc312329417 3-8.(P82)利用题7所给的Nc和Nv数值及Eg=0.67eV,求温度为300k和500k时,含施主浓度ND=5×1015cm-3,受主浓度NA=2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少? PAGEREF _Toc312329417 \h 4 HYPERLINK \l _Toc312329418 3-11.(P82)若锗中杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少? PAGEREF _Toc312329418 \h 5 HYPERLINK \l _Toc312329419 3-14.(P82)计算含有施主杂质浓度ND=9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 PAGEREF _Toc312329419 \h 6 HYPERLINK \l _Toc312329420 3-18.(P82)掺磷的n型硅,已知磷的电离能为0.04eV,求室温下杂质一般电离时费米能级的位置和磷的浓度。 PAGEREF _Toc312329420 \h 7 HYPERLINK \l _Toc312329421 3-19.(P82)求室温下掺锑的n型硅,使EF=(EC+ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 PAGEREF _Toc312329421 \h 7 HYPERLINK \l _Toc312329422 3-20.(P82)制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV,300k时的EF位于导带底下面0.026eV处,计算锑的浓度和导带中电子浓度。 PAGEREF _Toc312329422 \h 8 HYPERLINK \l _Toc312329423 4-1.(P113)300K时,Ge的本征电阻率为47Ω·cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/V·S和1900cm2/V·S,试求本征Ge的载流子浓度。 PAGEREF _Toc312329423 \h 8 HYPERLINK \l _Toc312329424 4-2.(P113)试计算本征Si在室温时的电导率,设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V·S和500cm2/V·S。当掺入百万分之一的As后,设杂质全部电离,试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍? PAGEREF _Toc312329424 \h 8 HYPERLINK \l _Toc312329425 4-13.(P114)掺有1.1×1016 cm-3硼原子和9×1015 cm-3磷原子的Si样品,试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。 PAGEREF _Toc312329425 \h 9 HYPERLINK \l _Toc312329426 4-15.(P114)施主浓度分别为1013和1017cm-3的两个Si样品,设杂质全部电离,分别计算:①室温时的电导率。 PAGEREF _Toc312329426 \h 9 HYPERLINK \l _Toc312329427 5-5.(P144)n型硅中,掺杂浓度ND=1016cm-3,光注入的非平衡载流子浓度Δn=Δp=1014cm-3。计算无光照和有光照时的电导率。 PAGEREF _Toc312329427 \h 9 HYPERLINK \l _Toc312329428 5-7.(P144)掺施主杂质的ND=1015cm-3n型硅,由于光

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