第四章 半导体行业词汇总结.pdf

半导体词汇总结 半导体词汇总结1 A 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B ，掺入Si 中需要接受电子 3. ACCESS ：一个EDA （Engineering Data Analysis ）系统 4. Acid ：酸 5. Active device ：有源器件，如MOS FET （非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key) ：对位标记 7. Alloy ：合金 8. Aluminum ：铝 9. Ammonia ：氨水 10.Ammonium fluoride ：NH4F 11.Ammonium hydroxide ：NH4OH 12.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13.Analog：模拟的 14.Angstrom ：A （1E-10m）埃 15.Anisotropic ：各向异性（如POLY ETCH ） 16.AQL(Acceptance Quality Level) ：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不 同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17.ARC(Antireflective coating) ：抗反射层（用于METAL 等层的光刻） 18.Antimony(Sb)锑 19.Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher ：去胶机 24. Aspect ration ：形貌比（ETCH 中的深度、宽度比） 25. Autodoping ：自搀杂（外延时SUB 的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end ：后段（CONTACT 以后、PCM 测试前） B 27. Baseline ：标准流程 28. Benchmark ：基准 29. Bipolar ：双极 30. Boat ：扩散用（石英）舟 C 31. CD ： （Critical Dimension ）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如 POLY CD 为多晶条 宽。 32. Character window ：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish （CMP ）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition （CVD ）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip ：碎片或芯片。 36. CIM ：computer-integrated manufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom ：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 39. Compensation doping ：补偿掺杂。向P 型半导体掺入施主杂质或向N 型掺入受主杂质。 40. CMOS ：complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将PMOS 和NMOS 在同一个硅衬 底上混合制造的工艺。 41. Computer-aided design （CAD ）：计算机辅助设计。 42. Conductivity type ：传导类型，由多数载流子决定。在N 型材料中多数载流子是电子，在P 型材料 中多数载流子是空穴。 43. Contact ：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。 44. Control chart ：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 45. Correlation ：相关性。 46. Cp ：工艺能力，详见process capability 。 47. Cpk ：工艺能力指数，详见process capability index 。 48. Cycle time ：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。 D 49. Damage ：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损 伤。 50. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 51. Depletion im