电子束蒸发沉积TiO2薄膜结构及光学性能的研究-武汉理工大学学报.PDF

第 24 卷　第 11 期 武　汉　理　工　大　学　学　报 V o l. 24　N o. 11 2002 年 11 月 JOURNAL OF W UHAN UN IVERSITY OF TECHNOLO GY 　N ov. 2002 ( ) 文章编号: 167 1443 1 2002 1100 1104 电子束蒸发沉积 T iO 2 薄膜结构及光学性能的研究 王学华　薛亦渝　赵　利　张幼陵 (武汉理工大学) 　 摘　要: 　研究了工艺条件对电子束蒸发沉积在 K 9 玻璃上 T iO 2 薄膜的结构和光学性能的影响。正交试验结果表明, 基 片温度是影响薄膜光学常数的主要因素, 制备 T iO 2 薄膜的最佳工艺参数为: 基片温度 300 ℃, 工作真空 2 ×10- 2 P a, 沉 积速率 0. 2 。采用最佳工艺沉积在透明基片上的 薄膜在可见光区具有良好的透过特性, 同时也得出了薄膜的 nm s T iO 2 光学带隙能E g = 3. 77 eV 。SEM 观察结果表明薄膜为柱状纤维结构, 柱状纤维的直径在 100～ 150 nm 之间。 关键词: 　电子束蒸发; 　T iO 2; 　光学薄膜 中图分类号: 　 484. 4 文献标识码: 　 O A 氧化钛(T iO 2 ) 薄膜具有优 良的透光性、高折射率和良好的化学稳定性, 并且折射率可随制备工艺变化, [ 1 ] 是非常重要的光学膜, 已被广泛地应用于抗反射涂层、干涉滤波片、电致变色窗和薄膜光波导 。制备 T iO 2 薄膜的PV D 方法主要有反应蒸发[2, 3 ]、反应磁控溅射[4, 5 ] 和脉冲激光沉积[ 6, 7 ] 等。众所周知, 薄膜的生长形态、 晶体结构和化学计量比对沉积条件极为敏感, 工艺参数如基片特性、 分压、沉积速率和基片温度对薄膜的 O 2 致密度、结晶度和光学性能有很大影响。采用正交试验法研究工艺参数对电子束蒸发沉积在玻璃基片上的 T iO 2 薄膜光学常数的影响。薄膜光学常数采用椭圆偏振仪测量并计算得到, 薄膜的透过特性由分光光度计 测量, 薄膜的结构采用扫描电镜分析。 1　试验方法 薄膜的制备是在 7006 型真空镀膜机上进行的, 蒸发用电子枪功率 6 , 束流可调。真空室 T iO 2 ZZS G kW - 3 ( ) 的本底真空由机械泵和分子泵抽至 3. 7 ×10 P a。膜料为 T iO 2 颗粒 直径 2～ 3 mm , 纯度 99. 99% 。基片材 料为 9 玻璃, 基片用丙酮仔细擦拭后用无水乙醇洗净, 再用热风吹干。在 蒸发的过程中充入纯度为 K T iO 2 99. 995% 的O 2 ,