数字电路康华光(第五版)ch3逻辑门电路.pptVIP

实际的与非门器件 5. 输出特性 TTL门电路系列 CMOS门电路系列 CMOS反相器的工作速度 由于电路具有互补对称的性质，它的开通时间与关闭时间是相等的。 8. 功耗 静态功耗：指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电路空载时电源总电流与电源电压的乘积。 9. 延时?功耗积 是速度、功耗综合性的指标。 DP = tpdPD 动态功耗：指的是电路在输出状态转换时的功耗。 对于TTL门电路来说，静态功耗是主要的。 19 57 132 100 延迟功耗积/pJ 2 9.5 低功耗肖特基TTL (74LS??) 19 3 肖特基(甚高速)TTL (74S??) 22 6 高速TTL(74H??) 10 10 中速TTL(74??) 功耗/mW 传输延迟 时间/ns 系 列 （1）基本的CMOS—— 4000系列。 （2）高速的CMOS——HC系列。 （3）与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。 0.00087~22 0.0003~7.5 2.9 BiCMOS 13 1? (1MHz) 13 74HCT 15 1.5? (1MHz) 10 74HC 105 1?(1MHz) 75 4000 延时功耗积/pJ 功耗/mW 传输延迟 时间/ns 系 列 大 小 扇出系数 大 小 噪声容限 高 小 慢 CMOS 低 大 快 TTL 集成度 功耗 速度 CMOS 门电路与TTL门电路性能比较 3.4.1 正负逻辑问题 3.4 逻辑描述中的几个问题 3.4.2 基本逻辑门的等效符号及其应用 2、三态门(TSL ) 当EN= 3.6V时 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 B A 输出端L 数据输入端 EN 三态与非门真值表 EN 当EN= 0.2V时 高阻 × × 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 B A 输出端L 数据输入端 EN 高电平 使能 = = 高阻状态 与非逻辑 Z L AB L EN = 0 ____ EN =1 真值表 逻辑符号 A B EN L EN EN A2 B2 E2 EN A3 B3 E3 EN A1 B1 E1 三态门的用途： 实现用一根导线轮流传送几个不同的数据或控制信号。 G1 G2 G3 L 3.3 MOS逻辑门电路 3.3.1 MOS开关及其等效电路 3.3.2 CMOS反相器 3.3.3 CMOS逻辑门电路 3.3.5 CMOS传输门 3.3.4 CMOS漏极开路门和三态门电路 3.3.6 逻辑门电路的外部特性 MOS管工作在可变电阻区，输出低电平。 MOS管截止，输出高电平。 当vI = 0： 当vI = VDD ： 3.3.1 MOS开关及其等效电路 N沟道增强型MOS管 MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。 MOS管工作在可变电阻区， 相当于开关“闭合”， 输出为低电平。 MOS管截止， 相当于开关“断开” 输出为高电平。 当输入为低电平时： 当输入为高电平时： MOS管截止，输出低电平。 当vI = 0 ： 当vI = VDD： MOS管工作在可变电阻区，输出高电平。 P沟道增强型MOS管 3.3.2 CMOS 反相器 1.工作原理 +VDD +10V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +10V vi vGSN vGSP TN TP vO 0V 0V -10V 截止 导通 10V VTN = 2 V VTP = - 2 V 3.3.2 CMOS 反相器 1.工作原理 +VDD +10V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +10V vi vGSN vGSP TN TP vO 0V 0V -10V 截止 导通 10V 10V 10V 0V 导通 截止 0V VTN = 2 V VTP = - 2 V 3.3.2 CMOS 反相器 1.工作原理 +VDD +10V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +10V vi vGSN vGSP TN TP vO 0V 0V -10V 截止 导通 10V 10V 10V 0V 导通 截止 0V VTN = 2 V VTP = - 2 V A L 1 逻辑符号 逻辑表达式 vi (A) 0 vO(L) 1 真值表 1 0 P沟道MOS管输出特性曲线坐标变换 输入高电平时的工作情况 输入低电平时的工作情况 作图分析： 0V 10V vA +VDD +10V T P1 T N1 T P2 T N2 A B L vB vL 与非门 1.CMOS 与非门 A B VTN = 2 V VTP = - 2