电子电路6章二极管及整流.pptVIP

1. 单相半波整流电路 R i o Tr D + a b ~ u uo ?t ?t u uo io 工作原理 设整流变压器副边电压为 根据二极管的单向导电性 u20时二极管导通， uo=u2 u20时二极管截止，uo=0 二极管承受的最大反向 电压： t 0 uo T Uo 单相半波整流电压的平均值为 整流电流的平均值为 通过二极管的平均电流： 【例】有一单相半波整流电路，已知变压器副边电压U=20 V，RL=900 Ω，试求UO、IO及UDRM，并选用二极管。 解 查二极管参数，选用2AP4(16mA, 50V)。为了使用安全此项参数选择应比计算值大一倍左右。 2. 单相桥式整流电路 单相半波整流只利用了电源的半个周期，整流输出电压低，脉动幅度较大。为此采用单相桥式整流电路，由四个二极管接成电桥的形式。 ~ RL u uo a ~ Tr RL b u uo ~ RL u uo ~ RL uo uo a ~ Tr RL b u D1 D3 在变压器副边电压u为正半周时，二极管D1、D3导通，而二极管D2、D4截止； t 0 u0 当副边电压u为负半周时，二极管D2、D4导通，而二极管D1、D3截止。 t 0 u D2、D4通 D1、D3通 D1、D3通 D2、D4通 - + 整流后输出的是脉动直流，既有直流成分又有交流成份。 uo a ~ Tr RL b u D2 D4 + - T t 0 u Uo 整流电流的平均值为 单相桥式整流电压的平均值为 流过每个二极管的平均电流为负载电流的一半 uo a ~ Tr RL b u D1 D3 D4 D2 变压器副边在正负半周均有电流流过，副边电流为正弦量. 每个二极管所承受的最高反向电压为 i t 0 i 副边电流有效值为 【例】 单相桥式整流电路，已知RL=160Ω，要求输出电压的平均值为20V，试选择合适的二极管并确定变压器副边电流的有效值。 解：因U0=20 V， Io=Uo/Ro=20/160=125mA 流过二极管的平均电流为 ID=0.5Io =0.5×125=62.5mA 变压器副边电压的有效值为 U=Uo/0.9=20/0.9=22.2V 二极管承受的最高反向电压为 查附录资料，应选用2CZ52B(100 mA，50 V)二极管。 变压器副边电流的有效值为 I=1.11Io =1.11×125=138.8mA * 6.1 半导体的基本知识 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料 常见半导体材料有硅、锗、硒及金属的氧化物和硫化物等。纯净半导体的导电能力很差。 半导体特性： 热敏特性:温度升高导电能力增强（如钴、锰、镍的氧化物做成的热敏电阻）。 光敏特性:光照增强导电能力增强（如镉、铅等硫化物做成的光敏电阻）。 掺杂特性:掺入少量杂质导电能力增强。 6.1.1 本征半导体 完全纯净、具有晶体结构的半导体 最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。 它们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电子数为 4 。 + + Si Ge 共价键 本征半导体晶体中的共价健结构： 每个原子与相邻的四个原子结合。 每个原子的一个价电子与相邻原子的一个价电子组成一电子对，由相邻原子共有，构成共价键结构。 共价键价电子 共价键 价电子 自由电子和空穴同时产生 半导体导电方式 激发 自由电子 温增/光照 外加电压 电子电流 离开 剩空穴（原子带正电） 外加电压 吸引相邻原子价电子填补空穴 好像空穴在运动 空穴电流 与金属导电的区别 硅原子 自由电子 硅原子 半导体中的自由电子和空穴都能参与导电 ——半导体具有两种载流子。 共价键 价电子 小结 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断进行复合。在一定温度下，载流子的产生与复合会达到动态平衡。温度愈高，载流子数目就愈多，导电性能就愈好——温度对半导体器件性能影响很大 6.1.2 N型半导体和P型半导体 在常温下，本征半导体的两种载流子数量还是极少的，其导电能力相当低。 如果在半导体晶体中掺入微量杂质元素，将得到掺杂半导体，而掺杂半导体的导电能力将大大提高。 由于掺入杂质元素的不同，掺杂半导体可分为两大类——N型半导体和 P型半导体 1. N型半导体 当在硅或锗的晶体中掺入微量磷(或其它五价元素)时，磷原子与周围四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数将是 9 ，比稳定结构多一个价电子。 P + Si Si Si Si Si Si Si P Si Si Si Si 多余 电子 1. N型半导体 掺入磷杂质的硅半导体晶体中，自由电子的数目大量增加。这种半导体主要靠自由电子导电，称之为电子半导体或N型半导体。 在N型半导体中电子是多数载流子、空穴是少数载流子。 室温情况下，本征