半导体物理学刘恩科第七版第2章杂质和缺陷试卷.ppt

第2章 半导体中杂质和缺陷 2.1 硅锗晶体中的杂质能级 原子并非在格点上静止不动，而是在平衡位置附件振动； 材料不是绝对纯净，含若干杂质 (外来的)； 半导体晶格不是绝对完美，存在缺陷 (内在的) 替位式杂质 杂质原子的大小与晶体原子相似，价电子的壳层结构比较相近。 III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质。 施主电离 V族元素在硅、锗中电离时能产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。 施主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，电离后称为离化态。 杂质电离能：多余的价电子挣脱束缚称为导电电子所需要的能量。 1、没反映出杂质原子的影响。 2、本身是一个近似模型。 例3 半导体硅单晶的介电常数为11.8，电子和空穴的有效质量备为mn*=0.26m0,mp*=0.30m0，利用类氢模型估计：(1). 施主和受主的电离能；(2). 基态电子轨道半径；(3). 相邻杂质原子的电子轨道将发生明显交迭时(假设基态半径发生交叠)，试估算此时施主、受主浓度的数量级(此时可认为将形成杂质能带)? 当ND(施主杂质浓度)NA (受主杂质浓度) n(导带中电子浓度)= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 当NDNA时 p (价带中空穴浓度)= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 金是I族元素 (目前无完善的理论能够说明，只能定性) 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶； 也可得到三个电子，形成稳定的共价键结构。 实际中，Au在Si：一受主、一施主能级。 在Ge中：三受主，一施主能级。 2.2 III-V族化合物 （略）－－自习 2.3.1点缺陷 点缺陷引入的能级类型 2.3.2位错 对半导体材料和器件的性能会产生重要影响。 锗中位错具有受主及施主的作用。与杂质间可能起补偿作用。 晶格畸变，能带宽度发生变化。 * * 实际晶体与理想本征晶体的区别 缺陷分类： 点缺陷（空位，间隙原子） 线缺陷（位错） 面缺陷（层错，晶粒间界） 一般的硅平面器件，要求位错密度在103cm-2以下，超过该值，将影响半导体的电导率和劣化器件的性能。 极微量的杂质和缺陷，极大影响半导体的物理、化学性质。 例如：硅中，以105：1的比例掺如B杂质，电导率增加103倍 杂质的影响 1、改变周期性排布的原子产生的周期性势场，破坏了原有的能带结构，但可视为微扰，引入新的能级 2、提供 导电用 的载流子（电子、空穴） 杂质原子位置区分： 替位式杂质 间隙式杂质 2.1硅和锗晶体中的杂质能级 2.1.1 杂质类型划分 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子的间隙位置； 替位式杂质：杂质原子位于晶格原子的格点位置。 两类型杂质的特点： 间隙式杂质：杂质原子较小，如离子锂 (Li+)半径为0.068nm 杂质浓度：单位体积中的杂质原子数，表示半导体杂质的含量。 根据导电类型区分 受主杂质 施主杂质 2、杂质类型2 通常关注的参量：电离能和能级的位置 杂质的类型划分 所处位置：间隙、替位 导电类型：施、受主 能级位置：浅、深能级 分析杂质移动 分析杂质导电 分析非平衡载流子情况 2.1.2施主杂质 （浓度：ND）、施主能级 V族元素在硅锗中是体位式掺杂，如掺磷原子，形成共价键后，剩余一个价电子。 磷原子很容易失去多余的一个电子而成为带正电的磷离子(P+),磷离子称为正电中心(不能移动)。 杂质电离：多余的一个电子挣脱杂质原子的束缚称为导电电子的过程称为杂质电离。称此类杂质为施主杂质或n型杂质。 硅、锗中的 n型半导体 主要靠导带电子导电的半导体。 Si、Ge而言，施主通常是V族元素。电离能较小，在Si中约0.04～0.05eV，Ge中约0.01eV。 施主杂质电子?导带电子所需要的能量，称为施主杂质电离能Δ ED ： 施主能级：在半导体中引入施主杂质，将在带隙中引入施主能级。 即被施主杂质束缚的电子的能量状态。记为 ED。 2.1.3受主杂质 (浓度：NA) 受主电离：能够接受电子而产生导电空穴，形成负电中心的过程。 受主能级 半导体中引入受主杂质，在带隙内引入能级，即被受主杂质束缚的空穴的能量状态，记为EA。 p型半导体 依靠价带空穴导电的半导体。 Si、Ge而言，施主通常是III族元素。电离能较小，在Si中约0.045～0.065eV【In是唯一例外，达0.16eV】，Ge中约0.01eV。 杂质空穴?价带空穴所需要的能量。 受主杂质电离能ΔEA： 3、杂质的划分类型3 浅能级杂质 深能级杂质 根据杂质能级位置划分 施主能级很接近导带底，受主能级很接近价带顶。称为浅能级杂质。 室温下，Ⅲ、Ⅴ族杂质基本全部电离。 硅、锗中掺入V族的磷原子杂质时，磷原子周围比硅原子周围多一个束缚着的价电子。好像在硅、锗晶体中多加了一个“氢原