TP金属黄光制程简试卷.pptVIP

TP金属黄光制程简介 制作 群安电子 TP金属黄光流程 TP金属黄光制程简介 材 料：PET+ITO+金属 PET规格：厚度50~150um 金属类别： --Cu --Cu+NiCu -- Cu+NiCuTi --其他（NiCuNi、APC、Ag合金等） ITO类别： --非结晶ITO（方阻150~400Ω） --结晶ITO（方阻80~160Ω） 一次压膜 一次曝光 一次显影 一次蚀刻金属 TP金属黄光制程简介 * Chemax TP金属黄光制程简介 材料 一次压干膜 一次曝光 一次显影 一次蚀刻金属 一次蚀刻ITO 一次去膜 二次压干膜 二次曝光 二次显影 二次蚀刻金属 二次去膜 TP金属黄光制程简介 红线框内部分流程也可用印刷制程取代 材 料 干膜的选择 NiCu及NiCuTi表面平整，干膜不易结合，需选用附着力好的干膜，如需要做30以下细线路还需选择解析度良好的干膜； 压膜条件 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2 TP金属黄光制程简介 制程能力： 底片（film）：最细可做20/20um 玻璃底片（光罩）：最细可做10/10um 曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 需要使用平行光曝光机 TP金属黄光制程简介 显影注意事项： 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH 显影后最好有烘干以增加干膜附着力 关注显影后线宽是否与底片一致 TP金属黄光制程简介 反应原理 使用氧化剂在酸性环境下氧化金属 蚀刻注意事项： 注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿 控制好蚀刻药液浓度 注意干膜是否有浮离问题 药水不能攻击ITO TP金属黄光制程简介 蚀刻ITO注意事项： 注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿 控制好蚀刻药液浓度 注意干膜是否有浮离问题 药液不能攻击金属 非晶ITO蚀刻较快，注意控制好蚀刻速度避免蚀刻过度 TP金属黄光制程简介 一次蚀刻ITO 脱膜注意事项： 控制好药液浓度； 控制去膜点30~50% 注意干膜反粘 关注材料方阻变化，药液不能攻击ITO 注意D/F Adhesion Promotor是否去除干净 TP金属黄光制程简介 一次脱膜 干膜要求： 附着力要好； 压膜条件： 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2 TP金属黄光制程简介 二次压膜 曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 注意对位准确，勿对偏 关注材料及底片是否涨缩 无线路可用散射光曝光机 TP金属黄光制程简介 二次曝光 显影注意事项： 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH TP金属黄光制程简介 二次显影 蚀刻金属注意事项： 控制好蚀刻药水浓度 关注视窗金属残留问题 关注ITO方阻变化 TP金属黄光制程简介 二次蚀刻金属 脱膜注意事项： 注意干膜反粘 控制好药液浓度 关注ITO方阻变化，不可攻击ITO TP金属黄光制程简介 二次脱膜 细线路蚀刻图片 蚀刻不良，钜齿图片 TP金属黄光制程简介 * Chemax * *