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GaAsAIGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
第20卷第4期 红外 与毫 米波 学 报 Vo【 2O，NO 4
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20,31年8月 J．Infrared Millim．Waves Augus【一2001
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GaAs／AIGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
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程兴奎 马洪磊
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“f』东大学光电材料与器件研究所．山东．挤南，250loo)
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均铭 黄 绮
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f中国科学院物理研究所．北京．100080)
摘要 在7．K温度一测量了GaAs／A[GaAu誊量子辨结转的光电流，观测到在 =l 589cm ．即 一6．29 附近存
!iiI 1t 17K ,ll,( ..I:I jdA,/AIGrtA, ~.Tlif1ijl;)4;t)i..ii!ljI1t ~1589cm-.p A~6.29~m W,JJt;f
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在一小翟电流峰．苛 诫为，谊电琉峰与多量子 势垒以上的电子干涉有关 桩据电子干涉理论计算出畸电流峰位
量与宴验结果非常一致．
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关键词 多量子阱结碍．光电流．电子；
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PHoToCURRENT AND ELECTRoN INTERFERENCE oF
PHOTOCURRENT AND ELECTRON INTERFERENCE OF
GaAs/AIGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE
GaAs／AIGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE
lHENG XinK-Kui MA Hong-Lei
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