东芝TB62501F内部原理及工作流程.docVIP

编号 名称 I/O 说明 1 DISCHARGE I 1和2两个引脚都是低电平时，DCIN_DRV是充电状态，BAT_DRV是放电状态，1或2其中某一个为高电平则相反。 2 -EXTPWR I 3 S1GATEON I 开关控制信号S1_DRV，H=充电，L=放电 4 S2GATEON I 开关控制信号S2_DRV，H=放电，L=关闭 5 DGND G 逻辑地线（连接系统地线） 6 M1GATEON I 开关控制信号M1_DRV，H=充电，L=放电 7 M2GATEON I 开关控制信号M2_DRV，H=放电，L=关闭 8 5B_ON I 开关控制信号5B_DRV，H=充电，L=放电 9 3A_ON I 开关控制信号3A_DRV，H=充电，L=放电 10 CLKIN I 滞后比较器的振荡输入脚 11 CLKOUT O 滞后比较器的振荡输出脚 12 3B_ON I 开关控制信号3B_DRV，H=充电，L=放电 13 VCC_RD3 I 电压供给RD3_DRV过载探测器，这个引脚执行相关过载探测 14 RD3_ON I 开关控制信号RD3_DRV，H=充电，L=放电 15 RD4_ON I 开关控制信号RD4_DRV，H=充电，L=放电 16 VBL_ON I 开关控制信号VBL16_DRV，H=充电，L=放电 17 RD1_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（RD1） 18 5B_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（VCC5B） 19 5B I B_PGS和VCC5B低压保护输入引脚 20 PGND1 G 驱动地线（连接到系统地线） 21 3A_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（VCC3A） 22 3A I B_PGS和VCC3A低压保护输入引脚 23 3B_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（VCC3B） 24 3B I A_PGS和VCC3B低压保护输入引脚 25 VDD15 P 门驱动的电源输入（12V-17V直流电源） 26 3P_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（VCC3P） 27 3P I VCC3P低压保护输入引脚 28 PGND2 G 驱动地线（连接到系统地线） 29 RD3_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（RD3） 30 RD3 I RD3低压保护输入引脚 31 RD4_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（RD4 32 RD4 I RD4低压保护输入引脚 33 VBL16_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（VBL16） 34 VBL16 I VBL16电压过低保护输入引脚 35 RD2_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（RD2） 36 CPOUT1 O 主电池充电驱动的输出，它的转换需要采用VCC3M电源供电 37 CPOUT2 O 次电池充电驱动的输出，它的转换需要采用VCC5M电源供电 38 VCPIN24 P 门驱动电源输入（24V直流电源） 39 S1_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（S1） 40 M1_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（M1） 41 BAT_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（BAT） 42 DCIN_DRV O N沟道MOS管的门驱动电压输出（DCIN） 43 VCC_RD4 O 电压供给RD4_DRV过载探测器，这个引脚执行相关过载探测 44 FIX_R I 为参考电流设置电阻的终端 45 VCC3M P 模拟线路电源供电（3.3V±5%直流电源） 46 M2_DRV O P沟道MOS管M2的门驱动电压输出（漏极开路） 47 S2_DRV O P沟道MOS管S2的门驱动电压输出（漏极开路） 48 VCC5M P 模拟线路电源供电（5V±5%直流电源） 49 A_PGS O VCC3A电源好信号输出（漏极开路） 50 B_PGS O VCC3B/VCC5B电源好信号输出（漏极开路） 51 M_PGS O VCC3M/VCC5M电源好信号输出（漏极开路） 52 -SHDN O 系统关闭信号输出（漏极开路） 53 AGND G 模拟地线（连接系统地线） 54 BAT_VOLT I 电池低保护设置引脚 55 TH_DEL O 热敏电阻连接引脚 56 TEST G 测试模式信号引脚（连接系统地线） 57 VREGIN16 P 电池供电或电源供电输入（5.5V-17V直流电） 58 -RESET I 复位信号输入引脚 59 3SW O 内部调节器产生的3SW输入引脚 60 RD2_ON I RD2_DRV开关控制信号，H=充电，L=放电 61 3P_ON I