静态随机存储器单粒子翻转效应二维数值模拟.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.56万字
约 5页
2017-06-26 发布于北京
举报
版权申诉

静态随机存储器单粒子翻转效应二维数值模拟.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

　第37卷第6期原子能科学技术 Vol. 37 ,No. 6 　2003年11月 Atomic Energy Science and Technology Nov. 2003 静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟郭红霞 ,陈雨生 ,周　辉 ,贺朝会 ,李永宏 ( 西北核技术研究所 ,陕西西安　710024) ( ) 摘要 :采用 MEDICI 二维模拟软件对静态存储器 SRAM 的单粒子翻转 SEU 现象进行了计算。对 MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合 ,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输L ET 值 ,得到了某一结构器件的收集电荷与 L ET 值的关系曲线 ,并给出临界电荷 7 73 ×10- 14 C 。关键词 :单粒子翻转 ;线性能量传输 ; 电荷漏斗模型中图分类号: TN3861 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 :(2003) Twodimensional Numerical Simulation of the Effect of Single Event Upset for SRAM GUO Hongxia , CHEN Yusheng , ZHOU Hui , HE Chaohui , L I Yonghong ( ) Northwest Institute of N uclear Technology , Xi ’an 710024 , China Abstract : In the paper , Single event upset ( SEU) for SRAM is simulated using the software of MEDICI twodimensional device simulator. From the theory , a reliable approach is set up for analyzing device ’s SEU. Collective charge depending on linear energy transfer (L ET) for specific device structure is calculated for different particles L ET and the critical charge is pro vided. The results of simulation are consistent with the model of charging funnel. It has been proven that the models presented in the paper are correct . There are some improvements to be discussed. Key words : single event upset ; linear energy transfer ; model of charge funneling ( ) 　　国外对单粒子翻