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ROHM 完成 SiC 元件的一貫化製造體制 低驅動電壓、高效率的 SiC 蕭特基二極體正式開始量產！ 2010.05.10 取自 Rohm 公司 半導體製造商 ROHM 股份公司 （總公司：京都市）最近推出擁有低損耗、高耐壓特性而備受矚目的新世代功率元件 SiC （碳化矽） 材料的蕭特基二極體（SBD ）「SCS110A 系列」開始量產。「SCS110A 系列」比其他廠商量產的 SiC-SBD 在順向電壓及導通 阻抗方面獲得改善，適合使用在 EV(電動車)/HEV(油電混合車)及空調等需要進行功率轉換的 Inverter,Converter,PFC 電路（功率 因素校正電路）等多種用途。 此新產品已於 2010 年 4 月下旬開始量產出貨，並隨著需求增加逐漸擴大產能。製造工程方面：晶圓製造在 SiCrystal AG （德國 埃朗根市），前段製程在ROHM APOLO DEVICE 股份公司（日本福岡），後段製程在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd. （泰國）進行。 近年來在，電力電子技術方面，半導體元件造成功率轉換時的損耗逐漸形成問題，從環保觀點也促使對於較矽材料更低損耗的 SiC 功率元件的研發推展。 ROHM 領先潮流於 2004 年成功完成 SiC MOSFET 試作品，接著完成 SiC 蕭特基二極體及由以上元件所 構成的電源模組試作成功。領導業界完成 SiC 元件及模組的研發。SiC 的蕭特基二極體在 2005 年開始工程樣品出貨，並從客戶 的資訊回饋努力改善可靠度及製造性。而為了確保高品質的 SiC 晶圓供應，ROHM 併購了德國 SiCrystal 公司，完成了 SiC 元件 的一貫化製造體制。 這次開始量產的「SCS110A 系列」的反向回復時間（trr ）僅 15nsec 比一般矽材質快速回復二極體（35nsec～50nsec ）相比大 幅縮短回復時間，回復時的損耗也降到僅 1/3 。依此特性，若使用在Inverter 、Converter 、PFC 電路，損耗大幅降低發熱量也跟 著減少。與矽材質的 FRD 相比，特性隨溫度變化極少，能使用較小的散熱片。與之前的 SiC 製蕭特基二極體比較，具有 trr 特性 改善、晶片尺寸縮小 15%等各種優點。 在量產化方面，蕭特基接觸屏障的均勻性、不需高溫處理的高阻抗防護環(Guard Ring)層成形等曾經是技術瓶頸的問題也獲得解 決，順利完成社內一貫化生產體制。 和之前量產的 SiC 蕭特基二極體相比,藉由降低操作時的阻抗值，其順向電壓也隨之降低（VF=1.5V （標準值）10A 時）與溫度特 性更優良，大幅提昇性能達到高效率。 ROHM 將 SiC 元件事業視為次世代半導體的核心技術，並致力於蕭特基二極體的更高耐壓化、強化大電流化製品的產品陣容，搭 載 MOSFET 及 SiC 元件的 IPM （智慧型電源模組）等SiC 相關產品的產品陣容擴充及量產化。 SiC 蕭特基二極體「SCS110A 系列」 ■SiC 蕭特基二極體「SCS110A 系列」的特長 • 反向回復電荷量（Qrr ）非常小，可高速切換 • 穩定的溫度特性 • 溫度並不會影響 trr （反向回復時間）特性 ■矽材質的快速回復二極體與 SiC 蕭特基二極體的切換波形比較 ■電子特性 VF IR trr VRM VR IO IFSM Tj Tstg (V) (µA) (nsec) 型號 Conditions (V) (V) (A) (A) (℃) (℃) IF VR typ. Max. typ. (A) (V)