CuCr1-xMgxO2（0≤x≤0.09）薄膜的光电性能.pdfVIP

第20卷第5期 中国有色金属学报 2010年5月 、，01．20No．5 TheChineseJournalofNonferrousM etals M ay2010 文章编号：1004—0609(2010)05—0898—05 CuCr1-xMgxO2(0≤ ≤0．09)薄膜的光电性能 李杨超，张 铭，董国波，赵学平，严 辉 (北京工业大学 材料科学与工程学院，北京 100124) 摘 要：采用射频磁控溅射方法，在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCrO2薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学 性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明：退火处理后所有薄膜样品的结晶性 良好，均为 3R 型铜铁矿结构；薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大。当x=0．09时，样品的室温 电导率可达 6．16X10-2S／cm，比 未掺杂的 CuCrO2提高近 400倍，且霍耳测试表明所制备的薄膜为P型导电体。电导率随温度变化关系表明：薄 膜样品在200~300K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律；当x=0．09时，最低激活能仅为0．034eV。 薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小。 关键词：CuCrO2薄膜；CuCrlM＆O2薄膜；光学性能；光学带隙；室温电导率；激活能 中图分类号：TN304 文献标志码：A Opticalandelectricalpropertiesof Cufrl— o2(0≤ ≤0．09)thinfilms LIYang．chao，ZHANG Ming，DONGGuo—bo，ZHAO Xue-ping，YAN Hui (CollegeofMaterialsScienceandEngineering，BeijingUniversityofTechnology,Beijing100124，China) Abstract：AseriesofCuCrl— ＆O2(0≤ ≤O．09)thinfilmsweredepositedonquartzsubstratesusingradiorfequency magnetronsputtering．Thestructures，opticalandelectricalpropertiesofCuCro91Mg00902thinfilmswereinvestigatedby ． ． diffractometry，double—beam spectrophotometry，electricalpropertymeasurement，respectively．XRD pattern indicates thatallfilmsareof3Rpolycrystallinedelaofssitephasewithgoodcrystallinityafterannealing．Theconductivityoffilm hasanotableimprovementwiht increasingMg．Theconductivity atroom temperatureis6．16x1o_ S／cm forx=0．09 whichisnearly400timeshigherhtanthatundoped CuCFO2film ．TheP—typenatureoffilmsisconfirmedbyHall measurements．Thetemperaturedependenceofelectricalconductiviyt agreeswe