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Ga掺杂前后LaCoO3的电子结构研究
王敏娣 等: 掺杂前后 的电子结构研究
Ga LaCoO３ ０４１１９
文章编号: ( )
１００１Ｇ９７３１２０１６０４Ｇ０４１１９Ｇ０６
Ga掺杂前后 LaCoO３的电子结构研究∗
, , , ,
王敏娣 毋志民 胡爱元 崔玉亭 徐 建
( , , )
重庆师范大学 物理与电子工程学院 光电功能材料重庆市重点实验室 重庆 ４０１３３１
: ( ) ,
摘 要 采用基于密度泛函理论 的第一性原理平面波超软赝势方法 结合局域自旋密度近似和
DFT Hubbard
, ,
修正 对不同 离子自旋态下及 掺杂 的超晶胞体系进行了几何结构优化 计算并分析了它们的电
U Co Ga LaCoO３
. , , ;
子结构 结果表明 当 离子处于低自旋态时 为非磁绝缘性的绝缘体 当 离子被激发到中间自旋
Co LaCoO３ Co
, , ; ,
态时 由于强烈的 轨道杂化作用 转变成一个有磁性的半金属体 当 离子处于高自旋态时 体系呈
pＧd LaCoO３ Co
, . ,
现金属铁磁性 磁矩由中间自旋态的０．９１ B 增大到高自旋态的２．２ B Ga掺杂后 体系的Co３d态电子和 Ga４p
μ μ
, , , ,
态电子以及 O２p态电子在费米能级附近发生 pＧd轨道杂化 引入杂质带 形成受主能级 使体系的导电能力增强
, .
体系呈现半金属铁磁性 其净磁矩为４．０１ B
μ
３＋
: ; ; ;
关键词 Ga掺杂LaCoO Co 自旋态 电子结构 第一性原理
３
中图分类号: ; 文献标识码: : /
O４７２ O４８２．５４ A DOI１０．３９６９ ．issn．１００１Ｇ９７３１．２０１６．０４．０２４
j
如何通过理论和实验的方法有效地确定出 离子的
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