Ni2＋掺杂CdWO4晶体的发光特性研究.pdfVIP

钟月锋 等：Ni掺杂CdWO 晶体的发光特性研究 Ni2+掺杂 CdWO4晶体的发光特性研究 钟月锋 ，万云涛，夏海平 ，张约品 (宁波大学 光电子功能材料重点实验室，浙江 宁波 315211) 摘 要 ： 应用坩埚下降法成功地生长 出了Ni掺杂 研究极其重要 。 的CdwO 单晶。测定了晶体的吸收与荧光光谱。根 CdWO 是一种物化性能稳定的钨酸盐晶体_1。 据晶体分裂场理论和吸收特性，计算 了Ni 在该 Cd— 该晶体具有良好的闪烁特性，已成功地应用到闪烁领 wO 晶体 中的晶格场分裂参量 D。一1054cm_。、Racah 域 中。而掺杂 的CdWO 晶体具有透光性好 、抗辐照 参量B一1280cm 与 C一5982cm_。。在 314nm光 的 损伤性能强以及掺杂离子在不同波段可调谐的优 良的 激发下，观察到发光 中心为 480nm 的蓝光，这是 Cd— 发光特性r1，可应用于激光领域 中。近期 ，作者把 WO 晶体 中WO2 中的 电子跃迁所致 。在 808与 Ni抖离子掺杂到 CdWO 中，发现 了该晶体 的近红外 980nm 的激发下，均观察到发光 中心分别为 1068nm 发光现象，这为寻找该晶体 的新性能与新应用提供 了 的近红外发射 带，归结为和 Ni抖八面体格位 的。T2 可能。 (。F)一。A (。F)能级跃 迁。 本文应用坩埚下降法 ，生长 Ni 掺杂 的CdWO 关键词 ： 光学材料 ；镍掺杂 CdwO 晶体 ；近红外发 晶体 ，主要研究材料的吸收特性和发光性能。 荧‘光半高宽 中图分类号 文献标 A 2 晶体生长 中图分类 ： TB381 文献标识码 ： 一 … ’ 文章编号：1001—97312【011)12—2241—04 生长 CWO和 Ni抖 ：CWO 晶体 的原料为 Cdo、 wO。，其纯度均为 99．99 。CdO、WO。原料组分的摩 1 引 言 尔配比为 1：1。NiO作为掺杂剂。Ni 离子在初始 Ni离子是一种重要 的过渡发光离子 ，以该离子为 总原料(固熔体)中的掺杂浓度为 0．5 (摩尔分数)。 发光 中心的材料 ，能够发射可见与近红外波段 的荧 经 1150。C固相烧结合成 的CWO多晶粉末与 NiO粉 光_l】。]。通常 Ni可显示+2与+3两种稳定 的价态 ， 末一起放人玛瑙研钵 中均匀混合后置于 Pt坩埚 中。 Ni可处于八面体与四面体 晶格场 中，在这两种不同 封 口后放置于晶体生长炉中进行生长。晶体生长方向 的配位环境 中表现 出不 同的光学性能。研究表 明， 为 C轴 。固液界面的轴 向温度梯度大约为 6O～7O℃／ Ni。的八面体场通常具有正常的能级 自旋允许跃迁产 cm，详细的晶体生长过程见文献 [2]。待晶体生长结 生的381、733、1280nm 的吸收峰与能级的 自旋禁戒跃 束后，剥掉薄白金坩埚，得到长 8cm左右，直径 2．5cm 迁产生 的 430与 840nm 的吸收峰，并且具有 500～ 的淡红色毛坯晶体 ，如图 1所示 。沿着垂直生长方向 630nm的绿色 、800～850nm 红色和荧光 中心大约在 切割成厚度约为 3mm的薄晶片，然后经细磨并抛光成 1068nm 的荧光发射带[2j；而 Ni 的四面体格位具有 厚度相同的晶片 ，用于光学测试 。 520、625、1100和 3000nm 的吸收峰与 700nm及远红 外 的发光 。 由于过渡金属离子最外层电子 的d—d能级跃迁受 周 围晶体场环境的较大影响，因此它们在一定的固体 基质中能够产生宽带的荧光发射 ，这为新型可调谐激 光器与宽带放大器的研究提供了可能。Ni 已成功地 掺杂于玻璃 ]、微晶玻璃 以