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Pd掺杂SnO2纳米膜的制备及H2敏感性能研究
· 28 · 材料导报 B：研究篇 2011年 7月(下)第25卷第7期
Pd掺杂 SnO2纳米膜的制备及 H2敏感性能研究
孙红娟 ，刘海峰 ，彭同江 ，贾锐军
(1 西南科技大学固体废物处理与资源化省部共建教育部重点实验室，绵 621010；2 两南科技人学
矿物材料与应用研究所，绵阳621O10)
摘要 以分析纯SnC12·2H2O和PdCl2为主要原料 ，控制不同 (Pd )，?(Sn )，利用溶胶凝胶一浸渍提拉法
制备了P(1掺杂sn()纳米膜。用XRD、ArM 对样品的结构、形貌进行 了分析，并测试了Pd掺杂Sn()纳米膜的阻温
特性和对 f{敏感性能。结果表明，Pd掺杂Sn()e纳米膜平整而致密，表面椭球形粒子颗粒尺寸约为20nm；Id掺杂
Sn()为金红石型晶体结构，但P 进入Sn()2晶格代替八面体中部分 sn ，导致其晶胞参数比未掺杂Sn()z略小；
Pd掺杂Sn()!纳米膜的电阻随温度升高而减小．表现出n型半导体 阻温特性；随着Pd掺杂比例的增大，元件的电阻
增大，其对 H 的灵敏度先增大后减小，当掺杂比例为 l 时对 Hz灵敏度最高。
关键词 掺杂 Sn() 气敏性 H2
中图分类号 ：TN304．92 文献标识码 ：A
PreparationandH2SensingCharacteristicsofPd—dopedSnO2Nano-powders
SUN Hongjuan～，LIU Haifeng～，PENGTongjtang一，JIARuijun
(I KeyLaboratoryofSolidW asteTreatmentandtheResourceRecycleofMinistryofEducation，SouthwestUniversityof
ScienceandTechnology，Mianyang621010；2 AcademicInstitutionofMineralMaterial Application，SouthwestUniversity
ofScience＆．Technology．Mianyang62101O)
Abstract PddopedSnO2thinfilmswerepreparedbysol-gelmethodand {tipcoatingprocesswithanalytically
pureSnC1e．·2He()andPdC12atdifferentn(Pd )／n(Sn。‘)ratios．Thephasetransformation，structurealldshapeof
s{mlpleswereanalyzedaccordingtoXRD andAFM ．Theresistance—ten]peraturccharacterandsensitivityintt2Kitnlos
phereofthesensorsweretested．TberesuhindicaledthatPd—dopedSn()2thinfilmsweresrnoothandcompact．add
thesizeofsuperficialellipsoidalparticlewasabout20nm．FhecrystalstructureofIddopedSn()!WaSrutile1ypc．ll：t、
cellparametersofPddopedSn()2wereafew smallerthanthatofpureSn()?forPd enteredintocrystallatticeof
Sn()2insteadofSn inoctahedron．TheresistanceofPddopedSn( decreasedwithtemperatureincreasirIgandtbtt
showedntypesemiconductorresistancetemperaturccharacteristics．W ithPddopingratioin
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