基于气液固机理的大批量InN纳米线生长.pdfVIP

助 材 抖 2OlO年第12期(41)卷 基于气液固机理的大批量 InN纳米线生长 刘海滨 。，程 国胜 。，解思深 (1．中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏 苏州 215125； 2．中国科学院 物理研究所 ，北京 100190；3．中国科学院 研究生院，北京 100049) 摘 要 ： 采用气液 固机理 生长 了大批 量均匀 的 InN 纳米线的方法。 目前，气液 固生长机制n 被广泛用于 纳米线 ，扫描 电镜 图像显示 出这些光滑纳米线 的平均 一 维半导体纳米结构的制备。按此机制生长的纳米线 直径和长度分别为 65nm 和 15“m。高分辨透射 电镜 、 一 端通常具有金属或者合金纳米颗粒 ，它们作为纳米 选 区电子衍射 、微 区拉 曼散射光谱结合 EDS能谱说 明 催化剂决定着纳米线 的直径和生长方向U4J，可 以很方 了纳米线为六方纤锌矿结构单晶，并证 实了纳米线的 便地调控纳米线的制备 ，得到高质量 的单晶半导体纳 生长遵循 气液固生长机理 。纳米线的光致发光光谱在 米线 。在此 ，我们给出了一个基于气液 固机理制备大 1．89eV 附近有一发光峰 。改变NH。的流量可 以调控 批量六方纤锌矿 InN纳米线的方法。 纳米线 的形貌和生长方 向，我们从 能量角度对此进行 2 实 验 了解释 。 关键词： InN纳米线：气液固生长 ；生长方 向 采用 自主设计的化学气相沉积 (CVD)系统进行了 中图分类号： TB332 文献标识码 ：A InN纳米线 的生长 。首先用 电子束蒸发设备在 SiO。／ 文章编号 ：lOOl一9731(2010)12-2094—04 Si衬底上沉积 2nm金膜，将衬底置于丙酮中，用功率 为 500W 的超声机超 声 1h，然后把 铟粉 (99．99 )置 1 引 言 于石英舟上 ，将超声好的衬底面朝下放于石英舟上 ，并 Ⅲ族氮化物 因为具有大范 围可调 的带 隙 (0．7～ 把它们缓缓推人 CVD的 5．08cm 石英管 中央。启动 6．2eV) 引起了人们的广泛关注 ，例 如 GaN、AlGaN 机械泵和分子泵将反应腔室抽真空至 1×10～Pa，回 已经用于制备高亮度发光二极管、短波长激光二极管 冲 NH。至一 个 大气 压 。设定 NH。流 量 为 30mI／ 以及大功率高频 电子器件 。在所有 Ⅲ族氮化物 中， rain，以30。C／min的速 度加热 石英管 至 500℃，保 温 InN具有最小的电子有效质量、最大的电子迁移率 、最 10h，等 CVD 自然冷却至室温取出样品。 大的峰值和饱和电子漂移速度及最小的带隙 等优异 用扫描电子显微镜 (SEM，FEIQuanta400FEG) 的性质 ，这些性质使得 InN相对于其它Ⅲ族氮化物更 对样品的形貌进行 了表征，用透射电子显微镜 (Tecnai 适合用于制备高频器件。但 由于 InN分解温度较低， G2F20S—Twin)、拉曼光谱仪 (Labram HR800UV 较难制备 ，人们对 InN 的研究并不像其它Ⅲ族氮化物 NIR)和 EDS(EDAX，Apollo40SDD)能谱对样品进 那样深入 。 行了结构和成分表征 。用光致发光系统 (PL，PI—Ac— 一 维半导体纳米结构对研究低维体系的基础性质 ton)对样品的光学性质进行 了表征。 有重要意义，同时在纳米器件 的制备方面也有潜在的 3 结果与讨论 应用 ]，因