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多孔硅在传感器中的应用研究进展

·62 · 材料导报A:综述篇 2015年 7月(上)第29卷第7期 多子L硅在传感器 中的应用研究进展 孙兰兰 。,肖 巍 ,刘 煌 一,张艳华。,涂铭旌 ,2,。 (1 重庆理工大学材料科学与工程学院,重庆 401320;2 重庆文理学院重庆市高校微纳米材料工程与 技术重点实验室,重庆 402160;3 四川大学材料科学与工程学院,成都 610065) 摘要 多孔硅 由于其制备方法简单、拥有极大的内表面积、广泛的孔径尺寸、可控的表面改性 以及与传统硅集 成技术兼容等特点,成为传感器件中理想的敏感材料。简述 了多孔硅电化学传感器和光学传感器的研究进展,包括 多孔硅湿度传感器、多孔硅气敏传感器、多孔硅有机蒸气传感器、多孔硅生物传感器。最后指出了阻碍多孔硅基传感 器商业化的影响因素,并展望了多孔硅传感器的发展方向。 关键词 多孔硅 传感器 内表面积 中图分类号:TB383 文献标识码 :A DOI:10.11896/j.issn.1005—023X 2015.013.011 RecentDevelopmentsofPorousSilicon。basedSensors SUNLanlan ,XIAOWei。,LIU Huang ,ZHANGYanhua,TU Mingjing。’。 (1 CollegeofMaterialsScienceEngineering,ChongqingUniversityofTechnology,Chongqing401320;2 Chongqing UniversityofArtsandSciences,ChongqingKeyLaboratoryofMicro/NanoMaterialsEngineering Technology。 Chongqing402160;3 CollegeofMaterialsScience Engineering,SichuanUniversity,Chengdu610065) Abstract Themotivationofusingporoussilicon (PS)asasensingmaterialrelatestoeaseoffabrication,large internalsurface,widerangeofaccessibleandadjustableporesize,controllablesurfacemodificationandcompatibility withcurrentsilicon-basedtechnologies.BasedonPSmaterials,theresearchprogressofPSelectrochemicalsensors andopticalsensorsareintroduced,includingPShumiditysensors,PSgassensors,PSorganicvaporsensors,PSbio— logicalsensors.Lastly,concludingremarksaboutexistingchallengesthathinderthecommercialuseofthematerial arehighlighted,andpospectivedevelopmentdirectionsofPSsensorsaresuggested. Keywords poroussilicon,sensor,internalsurface 应用于传感器中的多孔硅一般是通过电化学腐蚀法制得,该 0 引言 方法以单晶硅为阳极,铂片为阴极,在氢氟酸和乙醇的混合 多孔硅 (Poroussilicon,PS)是在硅表面通过 电化学腐蚀 液中通人 电流进行氧化,在硅片表面形成多孔硅层I5。]。这 方法形成的,具有以纳米硅晶粒为骨架的海绵状结构的新型

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