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財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 『』 招標規範書 目的 本招標規格書適用於下述之設計、製造、及測試等之一般要求。若本招標規格書有任何疑慮依業主解釋為準。設備明細 系統整體需求規劃及規格建議如下：【數量：套】 部分, 二維和三維製程模擬工具。並且擁有準確的蝕刻與沉積模組和蒙特卡羅( Monte Carlo)離子注入模型及先進的離子注入校準表，以及擴散模型。 製程模擬工具的應用包括: A. 設計並優化CMOS，雙極性和功率元件製程 通過離子注入、擴散、氧化、矽化物生長、epi生長、蝕刻、澱積等步驟來預計一、二、三維的元件結構特性 模擬隔離技術如LOCOS，SWAMI，深溝道隔離和淺溝道隔離 研究離子注入技術，包括晶圓片傾斜和旋轉，遮罩，注入損傷，無定型結晶，氧化物篩選，離子溝道等各種效應 研究雜質擴散，包括氧化增強擴散(OED)，瞬態增強擴散 (TED)，空隙聚積，攙雜啟動和攙雜劑量損失 研究半導體在高溫擴散，熱氧化，矽化物生長，熱匹配失調，蝕刻和澱積等製程因素作用下產生的應力效應 元件模擬部份 軟體內需具有業界標準的元件模擬工具，可以用來預期半導體元件的電性特性、溫度和光學特性。可以得到任意工作條件下電極的靜態和瞬態的電荷，電壓和電流。可以一、二、三維的方式對眾多元件進行模擬，包括MOSFET, SOI, DGMOS, Strain Silicon, FINFET, SiGe, BJT，HBT，功率RF元件，IGBT，HEMT，CCD等等。經由電位、電場、載流子、電流密度、電子複合與生成的分佈等方面深入瞭解元件的內部運行機制。 元件模擬工具的應用包括: 對元件設計進行最佳化並找出理想的元件設計參數 研究擊穿和失效的機制，如漏電流路徑和熱載子效應 可生成小型元件模型，以便對電路設計進行分析 介面工具 介面是集成了TCAD各類工具的圖形前環境。用戶可以通過圖形介面來進行半導體研究及製程模擬和元件模擬的設計、組織和運行。可自動地管理模擬資訊流程，其中包括用戶輸入檔、參數資訊和運用看圖工具來觀看分析元件。 介面包括一個圖形化的流程和版圖編輯工具，它使得用戶可以輕易地建立半導體製程以便TCAD進行模擬, 並且用戶可以使用數學和邏輯公式動態地預先處理輸入參數 規格審查文件 投標廠商請提供之型錄測試 得標廠商自決標次日起。 此需能符合如下驗收規格： 此系統需能符合本實驗室之工安規範。此系統之各設備及必備設施皆應由承包商負責安裝。，。保固 本採購案自驗收合格日起保固年。 承包商必須保證本規格書所述及之設備皆為全新品。設備及相關服務需符合規範要求，在年保固期間內，因設計不良所引起之故障，運轉不良，承包商需免費負責修理與更換新品。 保固期間在一般工作日接獲本實驗室書面或電話通知，承包商需於二十四小時內確認狀況，並且於兩天內前來現場處理。一般工作日之非上班時間或星期例假日或國定假日，承包商應於四十八小時內確認狀況，並且於確認狀況後的兩天內前來現場處理。非於一般工作日發生緊急狀況下，比照一般工作日情況辦理。 在保固期間內承包商不得據以要求增加額外服務費用（含工資、交通費等）。 教育訓練 承包商需提供本實驗室中英文之標準作業流程（SOP）。 購案： 頁 數： 3 OF購案： 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產，非由書面許可，不准透露或使用本文件，亦不准複製或轉變成任何其他形式使用。 財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室 購案： 頁 數： 1 OF購案： 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產，非由書面許可，不准透露或使用本文件，亦不准複製或轉變成任何其他形式使用。 財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室 購案： 頁 數： 2 OF購案：