掺杂Nd对ZnO电子结构和光学性质的影响.pdfVIP

助 财 料 2()14牛增刊 I(45)卷 文章编号 ：lOO19731(2Ol4)增刊 (1)4O—O4 掺杂 Nd对 ZnO 电子结构和光学性质的影响 韦建松 ，于灵敏 ，范新会 ，罗 贤 (1．西安工业大学 材料与化工学院，西安 710021；2．西』匕]业大学 材料科学与工程学院，西安 710072) 摘 要： 研 究分析 了Nd掺 杂对 Zn()体 系的电子结 能带结构 、总态密度 、分波态密度 ，光学性质进行计算 ， 构和光学性质的影响；根据密度泛函理论 (DFT)，采 用 分析 了Nd掺杂对 Zn()晶体电子结构及光学性质的影 第一性原理平面波超软赝势方法，对 Nd掺杂的 zn() 响 ，以期为实验工作提供理论依据。 晶体结构进行几何优化 ，并计算体 系的能带结构、总态 2 模型构建和计算方法 密度、分波态密度 、光学性质 ；结果表 明，掺杂后体 系晶 格常数增大，带隙变宽，费米能级进入导带，介 电常数 、 自然界中能在牵温条件下稳定存在 的 Zn()属于 吸收系数发生较大变化；Nd是一种有效 的 Zn()体 系 八方纤锌矿结构 晶体，空问群为 P63mc(186)，对称性 施主掺 杂元素 ；Nd的掺入提 高了Zn()体 系的导电性 C 。每个原胞中含有 2个 Zn原 卡¨2个 ()原子 。 能 ，改善 了光学性能。 在 Zn()晶体结构中，一个Zn 位于 1个相邻 () 肜成 关键词 ： 密度泛函 ；ZnO；电子结构 ；光学性质 ；Nd掺 的四面体问隙中，同样 4个 Zn 所形成 的四面体间隙 杂 中也存在 一个 () ，晶胞 由锌 的六角密堆积和氧的六 中图分类号 ： TN302；0646．5,1 文献标识码 ：A 角密堆积结构反 向套构而成 ，其品格常数为 “一，J— I)()I：10．s969／]．issn2014．增刊 (1)．009 O．325Flm ，(’= 0．5207 nm ，d一 一 90。，y===120。，(、 “ 为 1．602，与理想六角密堆积结构的 1．633相 比较小 ； l 引 言 沿 c，轴方 向的锌氧键 的键长为 0．1993nm， 其它方 向 纤锌矿 Zn()是一种新型的 IJ一Ⅵ族直接带 隙宽禁 键长均为 0．1973ErR。本文计算采用超 品胞模 型 ： 带氧化物半导体材料 ；它在室温下的禁带宽度为 3．37 Zn()(2×2x2)超晶胞 (如图 l昕示 ，红色代表氧原子 ， eV，激子结合能高达 6OmeVu ；具有优异 的光学 、电 灰色代表锌原子)，分别为不替代和用一个 Nd原子替 学特一 ， 气体传感器 、液晶显示器 等领域有着广 代超晶胞 中的一个 zn原子 (图[f1．r处)，形成本征和 泛应用 。 6．25 Nd掺杂 zn()体系。 稀土元素由于具有独特 的最外层电 结构 ，已逐 渐成为 Zn()掺杂体系研究的重点 。目前，往对轻 稀土元素 Nd掺杂改性 Zn()的实验研究方而已取得 J， 一 定成果。李建等 发现掺入稀土元素 Nd能够 明 改变 Zn()薄膜的导 电性能 ，进而使得纳米 Zn()薄 膜对乙醇气体的选择性和灵敏性均有明显改善 ，且 降 低 了薄膜的工作温度 。文军等 发现 Nd掺杂不改变 Zn()的PI谱发光峰位置，而相应发光峰 的强度却发 图 l Zn()2×2×2超 晶胞 图 牛明显的变化 。FenglinXian等 ’发现 Nd的掺朵 导