基体负偏压对四面体非晶碳膜结构和性能的影响 - 中国表面工程.PDF

第 卷 第 期 中 国 表 面 工 程 ２４ ６ Ｖｏｌ．２４ Ｎｏ．６ 　 　 　 　 　 年 月 ２０１１ １２ ＣＨＩＮＡＳＵＲＦＡＣＥＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２０１１ ： ／ ｄｏｉ１０．３９６９ ．ｉｓｓｎ２０１１．０６．０１１ ｊ 基体负偏压对四面体非晶碳膜结构和性能的影响 蔡 建，杨 巍，代 伟，柯培玲，汪爱英 　 　 　 （中国科学院宁波材料技术与工程研究所 表面工程与再制造事业部，浙江 宁波 ３１５２０１） 摘 要：采用自主研制的 单弯曲磁过滤阴极电弧沉积系统于 基体表面制备了四面体非晶碳（ ）膜，研究了基 ４５° Ｓｉ ｔａＣ 　 体负偏压对薄膜沉积速率、成分、力学性能及摩擦学性能的影响规律。结果表明，随基体负偏压升高， 膜 ３ 键含 ｔａＣ ｓ ｐ 量呈先增后减的变化趋势，在－５０Ｖ时达到最大值（约 ６４％）；其硬度和弹性模量呈相似的变化规律，在－５０Ｖ偏压下 获得最大值（ 和 ）。 薄膜的摩擦学性能与其 ３碳杂化键的含量密切相关，在 偏压下 ４８．２２ＧＰａ ３８８．５２ＧＰａ ｔａＣ ｓ －５０Ｖ ｐ 制备的薄膜具有最小平均摩擦因数值（ ）。可见，采用单弯曲磁过滤阴极弧电弧制备 薄膜的力学和摩擦学特 ０．１０ ｔａＣ 性主要受薄膜中ｓ３键含量的制约。 ｐ 关键词：单弯曲阴极真空电弧；偏压；四面体非晶碳膜；ｓ３ ｐ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＧ１７４．４５ Ａ １００７９２８９２０１１０６００６２０６ 　　　 　　　　 犈犳犳犲犮狋狅犳犛狌犫狊狋狉犪狋犲犅犻犪狊狅狀犛狋狉狌犮狋狌狉犲犪狀犱犘狉狅犲狉狋犻犲狊狅犳犜犪犆犉犻犾犿狊 狆 ， ， ， ， ＣＡＩＪｉａｎ ＹＡＮＧＷｅｉＤＡＩＷｅｉＫＥＰｅｉｌｉｎ ＷＡＮＧＡｉ ｉｎ ｇ ｙ ｇ （ ， ， ＤｉｖｉｓｉｏｎｏｆＳｕｒｆａｃｅＥｎｉｎｅｅｒｉｎ ａｎｄＲｅｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎ ＮｉｎｂｏＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭａｔｅｒｉａｌＴｅｃｈｎｏｌｏ ＆Ｅｎｉｎｅｅｒｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ