Ch.4电工电子学剖析.pptVIP

Chapter 4 常用半导体器件 主要内容 半导体的基本知识与PN结 半导体二极管 双极型三极管 4.1 半导体的基本知识与PN结 4.1.2 PN结 4.2 半导体二极 4.2.1 电路符号与基本结构 4.2.2 二极管伏安特性 4.2.3 主要参数 4.2.4 二极管的电路模型 4.2.5 二极管应用电路 例4.1 4.2.6 特殊二极管 例4.2 4.3 双极型三极管 1. 三极管的结构与符号 2.电流分配与放大作用 例4.3 3.三极管的特性曲线 4. 三极管的主要参数 4. 三极管的其它形式 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB/mA 三极管电流测量数据 结论：(1) 符合KCL，且 IC≈IE (2) 有电流放大作用。 三极管及其放大电路 电流放大系数 NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 UC UB UE PNP 型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 UC UB UE 三极管实现放大的外部条件： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。 三极管及其放大电路 工作于放大状态的4个三极管的各管脚对“地”电位如图所示。试判断各三极管的类型（是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管），并确定e、b、c三个电极。 （a） 3V 3.7V 8V ? ? ? ?3V 2V 2.3V ? ? ? （b） ?5V ?0.6V 0V ? ? ? （c） ?0.8V 6V ?1V ? ? ? （d） （a） 3V 3.7V 8V ? ? ? ?3V 2V 2.3V ? ? ? （b） ?5V ?0.6V 0V ? ? ? （c） ?0.8V 6V ?1V ? ? ? （d） （a）NPN型硅管，?-发射极，?-基极，?-集电极 （b）PNP型锗管，?-集电极，?-基极，?-发射极 （c）PNP型硅管， ?-集电极，?-基极，?-发射极 （d）NPN型锗管，?-基极，?-集电极，?-发射极 分析： 1）工作于放大状态的三极管，发射结应正偏，集电结应反偏，因而NPN型有VCVBVE， PNP型有VCVBVE。可见基极电位总是居中，据此可确定基极。 2）硅管|VBE|=0.6~0.8V，锗管 |VBE|=0.2~0.4V，则与基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是硅管还是锗管。 3）余下一电极为集电极。 4）集电极电位为最高的是NPN型管，集电极电位为最低的是PNP型管。 输入特性曲线 三极管的输入特性也有一段死区，只有在发射结外加电压大于死区电压时，才会产生 iB。 三极管及其放大电路 + + ? ? iB iC uBE uCE 输出特性曲线 (1) 放大区 IC＝β IB (2) 截止区 IB = 0 ， IC = ICEO(很小) ? 0 为了使三极管可靠截止，常使 UBE ? 0。 三极管及其放大电路 + + ? ? iB iC uBE uCE （发射结正偏，集电结反偏） （发射结反偏，集电结反偏） iC不受uCE控制 三极管及其放大电路 (3) 饱和区 当三极管饱和时，UCE ? 0，C-E间如同一个开关的接通； 当三极管截止时，IC ? 0 ， C-E之间如同一个开关的断开； 可见，三极管除了有放大作用外，还有开关作用。 + + ? ? iB iC uBE uCE （发射结正偏，集电结正偏） uBE = 0.7V uCE uBE， iC ≠βiB uCE ? 0 Chapter 4 常用半导体器件 * 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，即根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 学习要求： 物质分类 导体：各种金属 绝缘体：橡胶、陶瓷、塑料等 本征半导体 杂质半导体 4.1.1 半导体的基本知识 半导体 纯净的、具有晶体结构的半导体。 1. 本征半导体 将硅或锗材料提纯并形成单晶体后，便形成共价键结构。 2 8 4 +14 Si 2 818 4 +32 Ge