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§ 3.2 PN结的形成及特性 4）开关电路：利用二极管的单向导电性，接通或断开电路 3、半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 3.3.2 二极管的V－I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 vD ---- 二极管两端的电压; iD ---- 流过二极管的电流 特点： 非线性 1、正向特性 正向电压vD较小时，正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻；当vD大于Vth时，正向电流迅速增长，管子正向导通。 ≈ 0.5V 硅管 0.1V 锗管 门坎电压（死区电压）： 正向导通压降： 硅管-------0.7V 锗管-------0.2V 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 2、反向特性 在反向电压作用下，形成反向饱和电流 Is。 硅管的反向电流比锗管小的多； Is的大小主要与温度有关（T↑→ Is↑） 3、反向击穿特性 当反向电压大于反向击穿电压VBR时，反向电流剧烈增加。二极管被反向击穿。 注意： 二极管的V－I 特性对温度很敏感 T↑→正向特性曲线左移； 反向特性曲线下移。 vD iD 3.3.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许流过的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。 一般手册上给出的最大反向工作电压，是VBR的一半，以确保管子安全运行。 3. 反向电流 IR 二极管未击穿时的反向电流。IR越小，管子的单向导电性越好。它受温度影响，温度越高， IR越大。 4. 极间电容：Cd = CD ＋ CB PN结存在扩散电容CD和势垒电容CB。 在高频或开关状态运用时，必须考虑极间电容的影响。 §3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点。 例3.4.1 已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 vD iD ID VD Q 二极管的 V-I 特性曲线 斜率为－1/R的负载线 VDD §3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 §3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1、二极管V－I 特性的建模 将二极管的非线性V－I 特性，分段线性化，建立其相应的线性化模型。 （1）理想模型 （2）恒压降模型 （3）折线模型 （4）小信号模型 2、模型分析法应用举例 （1）理想模型 适用场合：当电源电压远比二极管的管压降大时，可利用此模型来近似分析。 二极管相当于一个理想开关。 正偏时，二极管导通，管压降为0V，电阻也为0 ； 反偏时，二极管截止，电流为零，电阻无穷大。 电路模型 （2）恒压降模型 二极管的导通压降VD： 硅管 0.7V； 锗管 0.2V。 只有当二极管的电流 iD 近似等于或大于1mA时，用此模型来分析才是可行的。 该模型提供了合理的近似，用途广泛。 基本思想是：当二极管导通后，其管压降认为是恒定的，且不随电流而变。 电路模型 （3）折线模型 当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，则 适用于： 电源电压较低时的情况 修正恒压降模型，认为二极管导通后， 管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流iD的增加而增加。 其电路模型是理想二极管、一个电池和一个电阻rD 的串联。 电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth硅管：0.5V；锗管：0.1V。 至于rD的值，可以这样来确定，即： vs= 0时，静态 Q为静态工作点，反映输入信号为直流时二极管的工作状态. vs=Vm sin w t时（VmVDD） （4）小信号模型： 在交流信号vs的作用下，工作点沿V-I特性曲线，在静态工作点Q附近小范围内变化，此时，可把二极管的V-I 特性曲线近似看成以Q为切点的一条直线，电压变化量与电流变化量之比近似于常数。 此时，二极管相当于一个微变电阻rd，其阻值是正向特性曲线在工作点Q上的斜率的倒数。 则 常温下（T=300K） 注意： 小信号模型中的微变电阻与静态工作点Q有关，静态工作点的位置不同，rd的值也不同。 该模型主要用于二极管处于正向偏置，且