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气敏传感器 完整版 04045班 小组成员：朱振辉（组长） 周晟 谢鼎 周海牛 第一节 综述 1.1 简介 1.2特点 1.3分类 1.4导电机理 1.5电阻型气敏器件 1.6非电阻型气敏器件 1.1 简介 气敏传感器，又称气体传感器，是指利用各种化学、物理效应将气体成分、浓度按一定规律转换成电信号输出的传感器件，是化学传感器中最活跃的一种，其广泛应用于煤矿、农业、化工、建筑、环保、医疗、家电等领域。????目前气敏传感器的主要产品包括可燃性气敏传感器、CO、H2S、NH3、SO2、C12、NO、NO2等毒性气敏传感器、氧传感器、溶氧传感器、CO2传感器等。????据中国电子元件行业协会信息中心统计，目前，毒性气体传感器在环境保护中使用大约在20万台套左右，其中，进口产品占78%，农业及工业用CO2传感器几乎全部依靠进口。环境保护需对空气污染物主要是CO、HC、NOx、SO2、颗粒物进行监测，市场上主要采用荧光光学原理和β-线吸收原理制造的传感器，产品90%以上为进口加拿大BW公司、美国热电公司、法国环境仪器公司等产品。据中国电子元件行业协会信息中心预测，2006年中国气敏传感器的需求量将超过……万只。 1.2特点 由于传感器原理是基于物理变化的，因而没有相对运动部件，可以做到结构简单，微型化； 灵敏度高，动态性能好，输出为电量； 采用半导体为敏感材料容易实现传感器集成化，智能化； 功耗低，安全可靠。同时，半导体传感器也存在以下一些缺点： 线性范围窄，在精度要求高的场合应采用线性化补偿电路； 1.3分类 1.4导电机理 这里我们以半导瓷材SnO2为例说明气敏半导体材料的导电机理。SnO2是N型半导体，其导电机理可以用吸附效应来解释。 1.5电阻型气敏器件 电阻型气敏器件在目前使用的比较广泛。按其结构，可分为烧结型，薄膜型和厚膜型三种，下面分别予以介绍。 烧结型 薄膜型 厚膜型 2、薄膜型 薄膜型气敏器件的制作首先须处理基片(玻璃石英式陶瓷)；焊接电极，之后采用蒸发或溅射方法在石英基片上形成一薄层氧化物半导体薄膜。实验测得SnO2和ZnO薄膜的气敏特性较好。 这种器件具有较高的机械强度，而且具有互换性好，产量高、成本低等优点。 3、厚膜型 为解决器件一致性问题，1977年发展了厚膜型器件。它是有SnO2和ZnO等材料与3～15％(重量)的硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶，把厚膜胶用丝网印制到事先安装有铂电极的Al2O3基片上，以400～800℃烧结1小时制成。其结构如图12-5所示。厚膜工艺制成的元件一致性较好，机械强度高，适于批量生产，是一种有前途的器件。 1.6非电阻型气敏器件 1、二极管气敏传感器 2、MOS二极管气敏器件 3、Pd-MOSFET气敏器件 1、二极管气敏传感器 如果二极管的金属与半导体的界面吸附有气体，而这种气体又对半导体的禁带宽度或金属的功函数有影响的话，则其整流特性就会发生变化。在掺锢的硫化镉上，薄薄地蒸发一层钯薄膜，就形成了钯硫化镉二极管气敏传感器，这种传感器可用来检测氢气。氢气对这种二极管整流特性的影响如下:在氢气浓度急剧增高的同时，正向偏置条件下的电流也急剧增大。所以在一定的偏置下，通过测量电流值就能知道氢气的浓度。电流值之所以增大，是因为吸附在钯表面的氧气由于氢气浓度的增高而解吸，从而使肖特基势垒降低的缘故。 2、MOS二极管气敏器件 金属-氧化物-半导体(MOS)二极管的结构和等效电路如图12-8所示。它是利用MOS二极管的电容-电压特性的变化制成的MOS半导体气敏器件。在P型半导体硅芯片上，采用热氧化工艺生长一层厚度为50～100nm左右的SiO2层，然后再在其上蒸发一层钯金属薄膜，作为栅电极。SiO2层电容Cax是固定不变的，Si-SiO2界面电容Cx是外加电压的函数。所以总电容C是栅极偏压的函数。其函数关系称为该MOS管的C-U(电容-电压)特性。由于钯在吸附H2以后，会使钯的功函数降低。这将引起MOS管的C-U特性向负偏压方向平移，如图12-9所示。由此可测定H2的浓度。 3、Pd-MOSFET气敏器件 这种器件是利用MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化做成的半导体气敏器件。Pd-MOSFET与普通MOSFET的主要区别在于用Pd薄膜取代Al膜作为栅极。因为钯对H2吸附能力强，而H2在钯上的吸附将导致钯的功函数降低。阈电压UT的大小与金属和半导体之间的功函数差有关。Pd-MOSFET气敏器件正是利用H2在钯栅上吸附后引起阈电压UT下降这一特性来检测H2浓度的。 市场产品 半导体式（MQ系列） 催化然烧式（MC系列） 电化学式（ME系列） 热线型半导体式（MR系列） 气体