本质载子浓度(n i ).ppt

電流-電壓關係式 因輸入電壓與電流含有直流與交流成分。 DQ is the quiescent value 假設交流訊號與直流訊號成分比起來很小，則可從非線性二極體中發展出一套線性的交流模型。 如果交流訊號很小，那麼vdVT 小訊號增量(或擴散) 電導 gd 與電阻rd or ，then 增量電阻是一個函數的直流偏壓電流 IDQ，與IV特性斜率曲線成反比（增量電導） 。 電路分析 為了分析電路，我們首先進行直流分析，然後再分析。 (a) 計算直流順向偏壓於分段線性導通模型。 (b)計算交流分析，利用取代rd二極體。 Example 1.11：分析 Figure 1.34(a)中所式電路。 假設電路 及二極體參數為VPS=5V，R=5kΩ，Vr=0.6V，vi=0.1 。 Solution：將分析分為兩部分:直流分析與交流分析， 在直流分析時，令vi=0然後求直流靜態電流為 輸出電壓之直流值為 在交流分析時，僅考慮交流訊號及參數。亦即，實效上令VPS=0。 交流(KVL) 方程式變為 在此 rd 為小訊號二極體擴散電阻。 從(1.32)式，得 二極體交流電流為 輸出電壓的交流成分為 電路中，交流訊號頻率與電容效應(擴散電容)之間的關係 在前面的分析中，我們假設交流訊號頻率很小以至於電路中的電容效應可以忽略掉。 如果交流訊號的頻率增加，伴隨著順向偏壓pn接面而來的擴散電容會變得很重要。 少數載子電洞濃度如右圖所示。 實現pn\VDQ ,於VDQ , 虛線 pn\VDQ+△V, 於t VDQ+△V, 虛線pn\VDQ-△V, 於 VDQ-△V, +△Q 之電荷會經過接面交互地充放電， +△V to -△V 頻率響應 擴散電容 , 為電壓的改變造成所儲存的少數載子電荷量的變化。 Cd 通常遠大於接面電容Cj, 因為牽涉的電荷量多寡相差甚遠。 小訊號等效電路 電導納 gd：擴散電導 Cd：擴散電容 Cj 與擴散電阻(rd)和擴散電容並聯Cd 串聯電阻：有限電阻的n -和p-區 Pn 接面的小信號等效電路是用來開發小信號模型的電晶體，這些模型用於分析和設計電晶體放大器。 complete simplified 其他二極體形式 太陽能電池---將光能轉換成電能 太陽能電池是一個 pn 接面元件，沒有電壓直接通過接面。 當光直入空間電荷區會產生EHPs 。 ? 分離和脫離空間電荷區 產生光電流 通過R產生電位差, 意思是太陽能電池能供電。 可從矽或砷化鎵或其他III - V族化合物組成半導體。 ⊕ ? 光二極體 將光訊號轉換成電訊號。 類似於太陽能電池除了其pn接面是操作在反向偏壓電壓。 入射的光創造過盛的EHPs於空間電荷區。 EHPs迅速並被電場掃出空間電荷區 ? 產生光電流。 所產生的光電流正比於入射光流量。 發光二極體(LED) 在順向偏壓時將電流轉換成光。 e- 與 h+流過空間電荷區 ?並變成多出少數載子。 ? 與多數載子復合。 直接能隙材料： 不改變其動量的情況下直接復合, 如 GaAs 放射光子或光波出來。 間接能隙材料： 能量及動量必須守恆, 如Si 非常不可能放射光子。 IF ? 復合率 輸出光強度 是? 二極體電流. 單石陣列已被製作應用於數字與字型之顯示。 激光二極體：發光二極體亦可與光學空腔整合起來已產生非常窄頻寬之同調光子輸出。 操作系統： LED 二極體與光二極體結合。 光纖中的光吸收係數很低。 蕭基二極體 由金屬(如鋁)接觸一個中等摻雜程度之n型半導體而形成的。 蕭基二極體的I-V 特性類似於pn 接面。 兩者間然有兩點極大不同。 電流傳導機制不同： pn 接面：由少數載子擴散所主控。 蕭基二極體：由多數載子越過冶金接面處之位障而形成的。 蕭基二極體中沒有少數載子儲存。 所以順向偏壓轉換到反向偏壓的儲存時間基本上可視為0。 蕭基二極體的反向飽和電流很大。 在相同順向偏壓之下，流通於蕭基二極體的電流大於流通於pn接面的電流。 小於pn接面的 Vr。 應用片段線性模型，得蕭基二極體的Vr 小於pn接面二極體。 Eample 1.12 在蕭基二極體與pn接面二極體的反向飽和電流分別為IS=10-12A 和 10-8A，計算順向偏壓電壓，在此兩個二極體為1mA時。 Solution：二極體的電流電壓的關係為 可以用二極體電壓求解，得 pn接面順向偏壓電壓為 蕭基二極體順向偏壓電壓為