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高介电常数材料金氧半元件之发展 - 国家奈米元件实验室
NANO COMMUNICATION 22 No. 1
13
High Permittivity Gate Dielectric Materials
for CMOS Technology
Abstract
In recent years, researches on high-K gate dielectrics attract more and more
attention. A variety of new high-K materials have been proposed. From the physical
and chemical points of view, this article reviews the development of high-K gate
dielectrics, including the essential characteristics and compositions of high-K
materials, as well as the interfacial engineering. The problems associated with the
high-K gate dielectrics are also discussed in this article.l
Keywords
High-K materials Interface
14
International Technology Roadmap for
Semiconductors(ITRS)
Al O HfO ZrO La O
2 3 2 2 2 3
SiO2
1
[1]
1 MOSFET 1( Ec)
[2]
(Atomic Layer Deposition,
ALD) ALD
Precursor
Pr
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