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N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS9N50F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package 8 A ID 500 V VDSS 0.8 Ω Rdson（@Vgs=10V） Qg 59 nC 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High efficiency switch 电子镇流器 mode power supplies UPS 电源 Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 Low gate charge B (B 典型值 35pF) 低Crss Low CB rss (typical 35pF )B 开关速度快 Fast switching 产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested 高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability RoHS 产品 RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 记 封 装 无卤素 包 装 器件重量 Order codes Marking Package Halogen Free Packaging Device Weight JCS9N50F-O-F-N-B JCS9N50F TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ) 版本：201006A 1/8 R JCS9N50F 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 数 值 项 目 符 号 Value 单 位