TO 封装Ⅳ型硅雪崩光电二极管.PDF

TO 装Ⅳ型硅雪崩光电二极管 型号：AA-SXXXXT 0X0 0TO46-XX-X-X-D 特征及应用: l 高速响应、高增益、低结电容、低噪声 l 正照平面型芯片结构 l 500 m 200 m μ 、 μ 光敏面 l 激光测距、激光告警、激光雷达等应用 大额定值 参数名称 符号 最小值 最大值 单位 工作温度 TOP -20 80 ℃ 储存温度 Tstg -40 100 ℃ 工作电压 Vop 150 200 V 焊接温度 Stemp 260 ℃ 耗散功率 1 mW 正向电流 1 mA 光电性能 特性参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 光谱响应范围 — 400～1100 nm 光敏面直径 φ — 500 μm =905nm, 带滤光 响应度 Re 13 A/W 片，Vop=200V f=1MHz,RL=50Ω, = 响应时间 tS 2 ns 905nm 暗电流 ID Vop=200V 0.2 0.3 1 nA 总电容 Ctot M=100,f=1MHz 1 pF 最适宜的放大倍数 M Vop=200V 30 反向击穿电压 V I =10uA 350 V BR R 等效电路及应用电路 图1 等效电路图 图2 使用示意图 注：C1 滤波电容，主要滤除偏置工作电压VR 的噪声； C2 －旁路电容，主要是为交流信号提供对地回路； R1 －限流电阻，主要保护偏置工作电压VR 过 时，损坏探测器；