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一种低压低功耗带隙基准源设计 彭何 王军 （西南科技大学 信息工程学院，绵阳621000） 摘 要：MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿晶体管基极发射极电压的高阶温度特性，使得该带隙基准电路在只增加两股镜像电流下，具有低功耗、和相对较低的温漂系数。spectre仿真表明,温度在-20℃~80℃范围内，温漂为1.3ppm/℃。电源抑制比为60dB，输出基准电压为0.585V，电源线性调整率为0.12％。整体电路功耗为820nW。 关键词：中图分类号： 文献标识码： A Design of a low voltage and low power bandgap reference PengHe，WangJun （School of Information Engineering Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621000, P. R. China） Abstract： Based on 130 nanometer COMS Technology low voltage and low power consumption bandgap reference circuit with curvature compensation was designed. The circuit according to inherent exponential relationship of MOS subthreshold region compensates higher-order temperature characteristics of transistor base emitter voltage, making the bandgap reference circuit with low power consumption, and relatively low temperature coefficient by increased only two strands of current mirror. Spectre simulation show that the temperature is in the range of -20 to 80 , and the temperature drift is 1.3ppm/℃. The power supply rejection ratio is 60dB, the output reference voltage is 0.585V, the power supply linear adjustment rate is 0.12%. The overall circuit power consumption is 820nW. Key words： ;sub-threshold; low power consumption; low voltage 1 引 言 [8]。在模数转换器，线性稳压器等集成电路设计中，低温度系数、低功耗带隙基准源越来越重要。传统低压带隙基准电路通过一阶补偿得到的温漂系数一般大于20ppm/℃，不能满足高性能系统芯片的要求。为了提升基准源的精度，文献[4]通过增加一条支路消去VBE的高阶温度项，使温漂系数降低到7ppm/℃。文献[5]提出了一种基于MOS管压阈值特性的曲率补偿低压带隙基准电路，使基准温漂小于10ppm/℃。本章采用厚栅、低阈值电压NMOS管工作在亚阈值区作为补偿电路使得带隙基准电路温漂进一步改善。 本章第2节主要介绍一阶补偿低压带隙基准电路的工作原理；第3节着重阐述MOS管处于压阈值区的电流模型，并利用泰勒展式分析高阶温度补偿电路；第4、5节基于130纳米COMS工艺实现整体带隙基准电路与版图并给出仿真结果；第6节得出结论。 2 一阶补偿基准电路原理 一阶补偿带隙基准电路将具有正温度系数的ΔVBE（两个双极晶体管的基极－发射极电压之差）加权后与具有负温度系数的VBE（三极管的基极－发射极电压）相加： （1） 理论上得到与温度无关的带隙基准电压。 （2） Eg为硅的带隙能量,约等于1.12eV,VT为电压当量约为26mV，由（2）可知基极—发射极电压的温度系数与该电压本身的大小有关,在常温下（T≈300K）负温度系数变化量为-1.5mV/℃。 （3） q为电子电荷，K为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，n为管子个数。 （4） 可知正温度系数为一定值，与参考温度无关。通过电路产生正温度系数的电压和负温度系数的电压，并使这两个电