大信号设计GaAs MESFET功率合成.PDF

维普资讯 第 l4卷 第 1期 固体 电子学研究与进展 Vo1．14。No．1 1994年 2月 RESEARCH PR0GRESSOFSSE Feb．，1994 T 2z一 大信号设计 GaAsMESFET功率合成 缈●。。。。—一 (南京电子器件研究所，210016) 1993年 2月 23日收到韧稿 ，1993年 6月 21日收到修改稿 提要 利用GaAsMESFET功率特性的线性化摸型，求出 GaAsMESFET近似最佳 功率 负 载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供韧值。然后 ．使用 自行研制的谐波平衡分析软件包 ，进行GaAs MESFET大信号模型参数 的提取和非线性 电路摸拟计算 。将两只总栅宽为 9．6mm 的GAs MESFET管芯 ，利用 内匹配功率台成技术 ，在 c波段 (5．5～5．8GHz)制成 1dB压缩功率大于 8 w溴 型功率增益 9dB的GaAsMESFET内匹配功率管 。 关键调 功率舍虐内匹配 G^^sMESFET大信号挂型 谐波平衡法 GaAsMRSFET●隹 功率负载阻抗 衷主 洋 r—一 TheDesignofInternallyM atchedPowerGaAs M ESFET Basedon Large-SignalM ethod Fu W ei (NanjingElectronicDevicesInstitute．210016) Abstract：TheGaAsM ESFET approximateoptimum powerload impedance． which furnishestheinitiativevaluestotheharmonicbalancesimulation．hasbeen calculatedbyusingtheGaAsM ESFET linearpowerbehaviormode1．Theparame— tervaluesoftheGaAsMESFET large-signalmodelareobtainedandthenonlinear circuitiS simulated by the harmonic balance simulator．Theinternally matched methodisappliedtocombintWOGaAsMESFET chips，eachwithgatewidthof9．6 mm．TheC band(5．5-5．8GHz)internallymatchedpowerGaAsMESFETswhieh deliveran outputpowerat1dB gain compressionpointof8W with 9dB power ‘ gainhavebeenmade． Key W ords：Internally M atched M ethod，Large-Slghal M odel of GaAs f M ESFET，Harmonic Bal