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模拟电子主要知识点整理 半导体 N型半导体多数载流子为自由电子，P型半导体多数载流子为空穴。 1、限幅电路 a、上限幅电路： b、下限幅电路： + + + + - a - - b - 限幅电压为E ,输入输出波形为： 限幅电压为E，输入输出波形为： 2、发光二极管 发光二极管简称LED，是一种直接将电能转化为光能的的器件。当管子被施加正向电压时，LED发光。 发光二极管的正、反向电阻均比普通二极管大得多，一般用万用表的R*1挡至R*1K挡均不能测试到发光二极管的发光情况，而R*10K挡使用15V的电池，能把有的发光二极管点亮。 晶体管 三极管具有电流放大作用，电流放大作用的内部条件为： a、发射区掺杂的杂志浓度远高于基区和集电区 b、集电结面积大于发射结面积 c、基区做得很薄 外部条件为；发射结正偏，集电结反偏 晶体管的特性曲线： 、截止区：ib=0以下的区域称为截止区，截止区的特点是集电结与发射结均反偏，三电极电流均为0 、放大区：放大区处于曲线近似水平部分，晶体管的发射结正偏，集电结反偏。此时ic=βib 、饱和区：将uCE≤uBE时的区域称为饱和区。此时，发射结和集电结均处于正向偏置，晶体管处于饱和区时，ic由外电路决定，而与ib无关。此时对应的uCE值称为饱和压降，用UCES表示。此时晶体管没有放大功能 注：晶体管在电路中既可以作为放大器使用（工作在放大区），又能作为开关使用（工作在饱和区或截止区）。 晶体管的主要参数 电流放大系数：共发射极直流电流放大系数 β=≈ 共发射极交流电流放大系数 β= 晶体管是利用基极电流来控制集电极电流的，是电流控制器件 场效应晶体管是一种电压控制器件 绝缘栅场效应晶体管是金属-氧化物-半导体绝缘栅场效应晶体管，简称MOS管或MOSFET 放大电路 电路分析 静态分析： 集射电压UCES 有 Rbe=300Ω+(1+β) Au==-=（式中负号表示输出电压与输入电压相位相反） Ri=RB//Rbe，当不接负载RL时Au=-，通常RBRbe，Ri≈Rbe，可见共发射极放大电路的输入电阻Ri不大。 放大电路开路时，输出电阻RO≈RC；接电阻RL时，输出电阻（要使放大电路的带负载能力强，就要使放大电路的输出级的输出电阻低一些） 电压放大倍数略小于1 反馈电路 信号源 基本放大电路A 负载 反馈网络F 负反馈放大电路一般关系式如下 输入端各量关系 开环放大倍数 反馈系数 闭环放大系数 （AF为环路增益）|1+AF|为反馈深度 电压反馈，稳定输入电压；电流反馈，稳定输入电流。 并联反馈，改变静输入电流；串联反馈，改变静输入电压。 负反馈对放大电路的影响 1、提高放大倍数的稳定性 2、扩展通频带 3、减小非线性失真 4、抑制内部干扰和噪声 5、改变输入电阻和输出电阻 电压串联负反馈使输入电阻增大，输出电阻减小 电流串联负反馈使输入电阻增大，输出电阻增大 电压并联负反馈使输入电阻减小，输出电阻减小 电流并联负反馈