相变区纳米硅氧薄膜的微观结构及光学特性.pdfVIP

第 卷 第 期 光学 精密工程 25 　 4 　 Vol.25　No.4 　 　　　　　　 　　　　　 　　　　　O ticsandPrecisionEnineerin 年 月 p g g 2017 4 　 　 　 A r.2017 p 文章编号 ( ) 　1004-924X201704-0850-07 相变区纳米硅氧薄膜的微观结构及光学特性 1 1 2 1 1∗ , , , , 李晓苇 李 云 郑 燕 高东泽 于 威 　 　 　 ( , ; , ) 1.河北大学 物理科学与技术学院 河北 保定 0710002.中国乐凯集团有限公司研究院 河北 保定 071020 : , 摘要 为了研究硅异质结太阳电池中纳米硅氧薄膜的光电特性 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了一系 , ( )、 ( )、 列不同晶态比例的nc-SiOx∶H薄膜 利用拉曼散射光谱 Raman 傅里叶变换红外光谱 FTIR 紫外可见透射光谱以 / 、 , 。 及稳 瞬态光致发光谱等检测手段分别对薄膜的微观结构 键合配置 能带特征以及发光特性进行了表征 薄膜结构特 , , , , ( , 征分析显示 随着氧掺入量的增加 薄膜由微晶向非晶转化 光学带隙逐渐增加 而处在相变区 晶化度约为 10% nc-Si ) 、 。 / 尺寸约为 3nm 的薄膜具有较高的中程有序度 较小的结构因子和较为致密的微观结构 薄膜稳 瞬态光致发光结果显 , 、 , , 示 一定量的氧掺入可以钝化缺陷 增强发光 而相变区薄膜的发光强度最大 表明较小尺寸的nc-Si具有较强的量子限 制效应, 的量子限制效应发光是主要的载流子复合机制。 nc-Si : ; ; ; ; 关 键 词 纳米硅氧薄膜 相变区 微观结构 光致发光 量子限制效应 　 　 中图分类号: ; 文献标识码: : / TN304.055O472.8　　 A　　doi10.3788OPE0850 Microstructureandoticalcharacteristicsofnanocrstalline p y siliconoxidefilmin