微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程.pdfVIP

第 36卷 第4期 仓 属 学域 V01．36 No．4 2000年 4 月 ACTA METALLURGICA SINICA April2000 7 ； 微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程 金晋岳 朱 军 周 狄 禹金强 俞爱斌 蔡炳初 (上海交通大学信息存储研究中心国家教育部薄膜与微细技术重点实验室，上海 200030) 魏福林 √ (兰州大学磁性材料研觅昕国家顿育邵厦阳磁学重点实验室 兰州730000) 摘 要 观察和分析了300 m×40~rex40nnl的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变．特别是Neel畴 壁从正极性壁 (N+)转变为负极性壁 (N一)的全过程 磁畴结构的转变包吉畴壁合并，封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极 性转变等不可逆因素．对畴壁极性转变的两种方式 (即N十 N一直接转变及经由十字壁 (Nt)的N+ Nt N一间接转 变)进行了分析讨论 N一往往在元件末端新生封自f畴和正极性主畸壁的连结点成核 然后向中间扩展 N+ Nt的转变是 通过N+壁的数次分裂来实现的 关键调 磁性薄膜元件 中围法奚荨 三 墼 —Neel— 51，TM276 文献标识码 A 文章编号 Ⅲ 。 。。。 一 帖 THE TRA NSIT10N PR0CESS 0F P0LARITY 0F NEEL 嗽 D0M AIN W ALLSIN SM ALLM AGNETIC Tm N FILM ELEM ENT YU Jinyue,ZHU Jn．ZHoUDi,YUJinqmng,YUAib$n．cAIBingchu InformationStorgeResearchCentertTMnFilm andM icrofabricatlonKeyLaboratoryofEducationM inistry,Shanghai Jiao~ongUniversity,Shanghai200030 wEIFulin ResearchIPastituteofMagneticMaterials，AppliedMagnetism KeyLaboratory 0fEducationMinistry．LanzhvuUniversiyt Lan~hou730000 Correspondent：YUJinyue,professor,1埙：(o21)6293251’Fax；o《21)628~3631 M an~scriptreceived 1999— 7—21．in revisde form 2000—01—24 ABSTRACT Thetransitionpro~essofdomainstructure．especially thetotaltransitionprocess ofNeelwallfrompositivepolaritywall(N+)tonegativepolariyt wall(N一)，duringmagnetization reversal alonghatd-axisdirectionin smallNiFemagneticthinfilm elementhasbeen observedna d analysed．Thelength，widthna dthicknessofthefilm are300 m，40 m na d40nm respectively Thetransitionofdomainstructureinvolves someirreversibleprocessessuchasdomalnwallmergence． closuredomaintransition，hooklikedomaintran