实验22 MOSFET的低频CV特性测量概要1.docVIP

实验22 MOSFET的低频CV特性测量 MOSFET的低频CV特性测量就是通过对MOSFET的电容-电压(C-V)特性测试，进而得出氧化层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层电荷密度、耗尽层电荷密度以及阈值电压等参数。CV测试被广泛地应用在半导体参数的测量中，是一种能够得到许多工艺参数的重要测试手段，能够有效地评估工艺、材料及器件的性能。该方法是通过在栅极直流偏置条件下叠加小幅交流低频信号后，MOSFET栅电容随栅电压变化而发生变化，由此得出电容电压关系曲线，进而计算出各种工艺参数。具有原理简单操作方便测量精度高。本实验目的电容-电压法测量基本原理学会、的使用方法。 MOSFET电容MOSFET中的电容与施加电压。栅极衬底电容取决于所施加的直流电压在直流电压上叠加幅度小得多的交流电压进行测量。图栅电压从负值变到正值时NMOS晶体管的。图1 栅电压变化时NMOS结构的能带图、电荷分布和等效电容 当衬底保持栅极负电压，MOSFET结构的电容将开始存储正电荷表面将有比受主NA更高的空穴，这称为表面积累。在此条件下氧化层两面的电荷能迅速响应施加电压的变化，器件就如同是一个厚度为 t 的平板电容器，COX表示值。保持栅极电压，栅极与之间正电压的增加更多受主暴露于表面表面的载流子被耗尽，所谓表面耗尽。静电分析表明总电容是C和耗尽区电容C的串联。进一步增加，能带将在显著弯曲。耗尽区达到最大宽度 xdmax，耗尽区中受主。的产生载流子超过，所产生的电子通过电场掠过势垒氧化层－硅界面。因此总电荷就是这两种电荷静电分析表明MOS电容串联的氧化层电容并联的耗尽电容以及表面电荷电容Ci与耗尽电阻的串联组合。MOSFET参数MOS晶体管栅极衬底电容测量极为重要，如衬底浓度Nsub平带电压V。tOX： 在表面积累平板电容器 pF (22-1) 式中，A表示栅极区面积，单位为μm2ε0为真空介电常数8.854×10-14F/cm；εr为SiO2的介电常数COX是重累积时的被测电容VGS= VDD时的测量值。 根据上式，可以求出tOX，其值为： μm (22-2) 2.) 衬底杂质浓度Nsub和费米势Φf衬底杂质浓度Nsub和费米势Φf由下面两个公式给出 cm-3 (22-3) V (22-4) 式中，ni是本征载流子浓度cm-3；费米势符号由沟道中掺杂确定CSmin表示最小耗尽层电容F；εrSi为硅的介电常数11.9；q是电子电荷1.602×10-19，单位为C；K是玻尔兹曼常数1.38×10-23，单位为J/K；T是绝对温度K。 式(22-3)和式(22-4)的联立方程没有闭合形式解CSmin赋初值反复迭代，最后得Nsub和φf值tOX的关系图表，可查得衬底的掺杂浓度Nsub，下图给出了CSmin/COX、tOX与Nsub之间的对应关系。 图tOX与Nsub之间的对应关系 3.) 平带电容CFB和平带电压VCFBS，可以表示为 pF (22-5) 式中，LD称为德拜长度 cm (22-6) 带入上式，则有 pF (22-7) 此时，MOS器件栅极与衬底之间的总电容是COX和CFBS的串联CFB，表示如下 pF (22-8) 在测量的CV特性曲线中，CFB对应的电压称为平带电压，记为VFB，单位为V。 平带电压可以采用插值的方法计算得出，方法是在CV特性曲线中，平带电容CFB值附近，选取两组测试坐标点（C，V），依据线性插值方法求出平带电压VFB。 4.) 栅氧化层电荷密度QSS、耗尽层电荷密度Qb和阈值电压VTH： 由平带状态条件可知，平带电压包含功函数差和氧化层电荷两部分，可以表示为 V (22-9) 式中Φms为栅极与衬底之间的功函数差， 其值为0.5~0.6，单位为V；QSS为栅氧化层中固定电荷密度，单位为C/μm2。所以，QSS也可以表示为 C/μm2 (22-10) 根据半导体物理知识，耗尽层电荷密度可以由下式描述 C/μm2 (22-11) 其中，Qb的符号由沟道中掺杂确定 V (22-12) 本实验，二、实验内容1. 建立MOS管测试回路对MOS晶体管进行低频CV特性测量。根据测试结果，判断晶体管类型C-V特性曲线。三、实验步骤1. 按上图连接好测试系统，检查并确保连接正确后，接通精密LCR表电源。 2. 在LCR表中MEAS DISPLAY页面区域填入如下字段，设置测量条件如下： 1.) 将光标移动到FREQ字段，并输入1 KHz，设定交流信号频率。 2.) 将光标移