半导体器件物理之半导体接触.pptVIP

第二章 半导体接触 2.1 p - n 结二级管 主要内容 基本器件工艺介绍 耗尽区和耗尽电容 I-V特性 结的击穿 瞬变特性 端功能 主要内容 pn结 异质结 金属-半导体接触 半导体-氧化物接触, MIS 半导体器件的四种基础结构 在p型和n型半导体之间形成的“结”，具有整流特性，广泛用于电子电路的整流、开关及其他工作中。若再加一层p型半导体，两个p-n结构成p-n-p双极晶体管。 金属-半导体界面， 在金属和半导体之间形成的一种紧密接触。是第一个被研究的半导体器件。可作为整流接触-肖特基势垒，或用作欧姆接触。也可以得到其他许多器件，如MESFET。 p-n 结 Ef Ef EV EC EV EC Ef 即在两种不同的半导体之间形成的界面，可构成双异质结激光器等。 如果绝缘体用氧化物，即MOS结构, 可视为一个金属-氧化物界面和一个氧化物-半导体界面的结合,ULSL中最重要的MOSFET器件的基本结构。 异质结界面 ? EC EV EC Ef ?EV 金属-绝缘体-半导体结构 EV EC Ef Ef 1。基本器件工艺 介绍几种器件制备方法 合金法 得到的结的位置严格依赖于温度-时间合金过程，难以精确控制。 固态扩散法 1。基本器件工艺 能精确控制杂质分布 扩散台面结法 固态扩散法 1。基本器件工艺 采用绝缘层的方法 平面工艺—是制备半导体器件的