建筑工程类超导材料2(课堂讲义)概要1.ppt

* 第一节 超导电性的发展历史 第二节 超导体的基本物理性质 第三节 传统超导体的超导电性理论 第四节 两类超导体 第五节 超导隧道效应 第六节 超导材料的进展及高Tc的追求 第七节 几种超导材料 单电子隧道效应 正常金属的隧道效应 金属-超导体的隧道效应 超导体间的隧道效应 约瑟夫森效应 第五节 超导隧道效应 在经典力学中 ，只有粒子具有足够的能量越过势垒时，它才会从一个空间进入另一个空间区域中去。 在量子力学中，一个能量不大的粒子也可能会以一定的几率穿过势垒，这就是所谓的隧道效应 粒子发生隧道效应的概率和势垒的宽度以及势垒能量和粒子能量的差有关 第一 在隧穿过程中，系统的总能量必须守恒（是指包括绝缘层(或间隙)两边金属在内的整个系统，在隧穿过程发生前后。能量要求保持不变） 第二 必须遵守泡利不相容原理（由于发生隧道效应的主体是单个电子，必然要受泡利不相容原理的制约，因此电子隧穿进入的态必须是空态才被允许）。 只有这两个条件被同时满足时，隧道效应才会发生． 隧道效应必须满足的条件： 正常金属的隧道效应 正常金属的隧道效应 真空 EF EF EF EF 在金属片B中出现的相应空态数目，是与所加偏压的大小成正比的，从而隧道电流也将与偏压成线性比例关系 金属-超导体（N-I-S）隧道效应 当温度高于绝对零度时，会有一些超导电子对，因热激发而被拆散成两个准粒子，而进入比基态能级高出Δ以上的受激态能级上。 拆散一个电子对：2Δ， 一个受激准粒子：Δ。 受激准粒子类似于正常电子，遵守费米—狄拉克统计， 或泡利不相容原理，正因为这样，受激准粒子也称单电子。 在0K，超导体处于基态，即超导电子对全部凝聚在上图所示的同一能级上，遵守波色-爱因斯坦统计。 受激准粒子 库柏对 V=0 VΔ/e V=Δ/e Δ Δ Δ Δ eV eV eV Δ/e I V VΔ/e 金属-超导体（N-I-S）隧道效应 -Δ/e V I V-Δ/e V=-Δ/e V=0 V-Δ/e Δ Δ Δ eV eV eV Δ 超导体 正常金属 超导体 正常金属 超导体 正常金属 超导体 正常金属 超导体 正常金属 Δ/e I V -Δ/e T=0K S-I-N 伏安特性曲线 T=0K，S-I-N 伏安特性曲线 Δ/e I V -Δ/e T0K S-I-N 伏安特性曲线 T0K，S-I-N 伏安特性曲线 Δ Δ Δ 2eV V2Δ/e V2Δ/e Δ 2eV V=2Δ/e 2Δ/e I V 正常隧道效应 两个相同超导体间（S-I-S)的隧道效应 2Δ/e I V -2Δ/e T0K，S-I-S 伏安特性曲线 T0K，S-I-S 伏安特性曲线 约瑟夫森效应：双电子隧穿效应 约瑟夫森效应 上面提到的单电子隧道效应，当绝缘层厚度在几十到几百纳米左右时，对于金属-绝缘体-金属而言，电子能够穿过绝缘体；对于S-I-N，S-I-S而言，当电压达到一定程度时，库柏电子对能够分成两个准粒子，一个发生隧穿到另一个金属，另外一个进入本超导体的准粒子态。不管怎样，都是单个粒子穿越隧道结，因而称这些为单电子隧道效应。我们都知道超导体中的导电粒子是库柏对，当两个超导体被绝缘薄层连接在一起时，有没有可能库柏对不发生分裂，直接穿过绝缘体呢？ Brian D. Josephson The Discovery of Tunnelling Supercurrents The Nobel Prize in Physics 1973 绝缘薄层薄到一定程度时，超导电子对（库柏对）就能够隧穿绝缘薄膜，形成超导隧道电流。他宣称用电线连接超导体—绝缘体—超导体的结，当外加电压为零时，会出现电流即超导电流；而如果在结上加一个很小的直流电压．会出现交变的超导电子对隧道电流．高频交流电的频率等于2eV/h。 约瑟夫森1962年预言： 1. 当不存在电场时，有直流电流通过结，通过结的超导电子对电流J 为： 2. 在结的两端施加直流电压时，电流发生震荡，其频率与施加的电压成正比： J是通过隧道结的电流，J0是能够通过结的最大零压电流，正比于迁移相互作用，δ是隧道结两边电子对波的位相差，V是结两端的直流电压 约瑟夫森在他的理论中，预言了外磁场的作用： 当外磁场恒定时，有一稳定的超导电流流经超导结(这与普通超导体的迈斯纳效应类似，但这里的超导电流很弱)。当外磁场变化时，电流将随外磁场的增大而周期件地起伏变化(这是超导结持有的现象)。 1963年，美国人菲利普·沃伦·安德森观察到了隧道电流的存在 罗威尔进一步证实了隧道电流和磁场的关系。 1973年诺贝尔物理学奖： Leo Esaki Ivar Giaever Brian D. Josephson BCS理论指出，电子