第八章半导体表面与MIS结构.pptVIP

8.1 表面态 表面处晶体的周期场中断； 表面往往易受到损伤、氧化和沾污，从而影响器件的稳定性； 表面往往要特殊保护措施，如钝化 表面是器件制备的基础，如MOSFET等 晶格表面处突然终止，在晶格表面存在未饱和的化学键，称为悬挂键，与之对应的电子能态称为表面态。 三、真实表面 1.清洁表面： 在超高真空(UHV) (～10-9Torr)环境中解理 晶体，可以在短时间内获得清洁表面，但与 理想表面不同：解理后的表面易形成再构 2.真实表面 自然氧化层（~ nm）－大部分悬挂键被饱 和，使表面态密度降低 表面态密度1010~1012cm-2（施主型、受主型） 8.2 表面电场效应 如图装置是MIS结构。 (Metal-Insulator-Semiconductor) 中间以绝缘层隔开的金属板和半导体衬底组成的，在金/半间加电压时即可产生表面电场。 结构简单，影响因素多。（功函数、带电粒子，界面态等） 8.2.1 空间电荷层及表面势 VG=0时，理想MIS结构的能带图 空间电荷区的泊松方程 假设： 半导体表面是个无限大的面，其线度≧空间电荷层厚度 一维近似，(ρ,E,V)不依赖y,z 半导体厚度≧空间电荷层厚度 半导体体内电中性 半导体均匀掺杂 非简并