半导体材料β-FeSi2的发光性质研究.pdfVIP

第2期 纳 米 科 技 VoI．11No．2 2014年 4月 Nanoscience＆Nanotechnology April2014 半导体材料 I3；一FeSi2的发光性质研究 康双双，谢 泉，张晋敏，熊锡成 (贵州大学新型光电子材料与技术研究所，贵州贵阳550025) 摘 要：半导体材料B—FeSi作为一种新型的光学活性材料引起 了c,--fr3 广泛关注。31-FeSi材料 的发光波长在1．51xm，是光纤通信的重要波段，且能与已经发展起来的硅集成工艺兼容。文章 概述 了近年来B—FeSi：材料发光性质的研究成果，尤其是在改善发光性能上所做 出的努力，为实 现材料在器件上的应用和进一步的材料研究提供了有益的参考。 关键词 ：31-FeSi：；硅位错发光；非辐射复合9·光致发光；电致发光 ResearchonLuminescencePropertiesofSemiconducting[~-FeSi