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GaN基 MOSFET器件的研究
报告人：刘艳
2012年12月;内容
1.GaN材料
2.MOSFET器件
3. GaN MOSFET器件制作工艺介绍
4. MOSFET器件参数
5. GaN MOSFET器件研究现状及存在的问题;材料;图1 纤锌矿GaN 各个不同方向的透视图;图3 闪锌矿结构 ;一. MOSFET结构;2. MOSFET分类;二. MOSFET器件涉及的物理机制;(a);2.肖特基接触;3.欧姆接触;3.2 小结 ;4 .MIS结构;5. 掺杂;基本概念：结深 xj （Junction Depth）；薄层电阻 Rs （Sheet Resistance ）；杂质固溶度（Solubility);晶片;离子注入 ;GaN MOSFET器件制作工艺介绍
1.主要工艺流程
GaN MOSFET器件的结构如图13所示。器件设计在厚度为2μm的p型GaN材料上，以Mg作为受主杂质（杂质非完全电离，Mg的电离能为170meV），浓度量级范围内，栅极氧化层厚度（选用SiO2作为栅介质）为10-100nm，栅长取值范围为0.8μm-5μm之间，n+漏源区的掺杂浓度，电极间距离Lgd=Lgs为0.5-3μm。在模拟过程中，GaN的电子迁移率μn设置。;2.主要工艺介绍;A. 晶格匹配;2) AIXTRON HVPE生长GaN;HVPE反应方程:;2.2 采用低压化学气相淀积(LPCVD)在GaN上淀积栅介质层SiO2;1)方法选择;2) Tempress扩散系统;;名称;技术参数：
1.扫描速度有：2.5MHz,4MHz，6MHz和10MHz多种选择
2.工件台移动：45mmX45mm，150mmX150mm，200mmX200mm
3.激光工件台的激光定位精度为2nm;4) Oxford Plasma lab System 100 ICP 180;;3)钝化处理;2.3 退火工艺 ;GaN MOSFET器件参数;2 . VDS对导电沟道的影响(VGS VT);1）输出特性曲线(假设VGS =5V);2）转移特性曲线(假设VDS =5V);3.氧化层厚度对GaN MOSFET器件特性的影响;1.GaN MOSFET器件研究现状;2.GaN MOSFET器件存在的问题
1) 在工艺方面，GaN材料的p型掺杂一直没有得到很好的解决。;谢谢
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