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水热法制备 SiNWs@MoS2核壳阵列结构／贺小兰等 ·63 · 水热法制备 SiNWs@MoS2核壳阵列结构 贺小兰 ，廖 明佳 ，揭芳芳 ，乔 雷 (1 重庆化工职业学院化学工程系 ，重庆 400020；2 重庆市环境科学研究院，重庆 401147) 摘要 通过水热法成功地对金属无 电刻蚀法制备的硅纳米线进行了MoSe包覆 ，实现了硅纳米线@MoS2的 核壳化。制得的硅纳米线@MoSe阵列的电化学反应电流密度较未修饰的硅纳米线阵列提升 了近6倍 ，EIS结果显 示硅纳米线@MoS2阵列的转移电荷电阻仅是硅纳米线阵列的 1／2。SiNWs@MoS2阵列的制备为电学、光学、力学 等方面的研究提供了新的平台。 关键词 硅纳米线阵列 二硫化钼 核壳结构 水热法 中图分类号：TB332 文献标识码 ：A PreparationofSiNWs@MoS2Core-ShellStructureArray ThroughHydrothermalM ethod HEXiaolan ，LIAOMingjia，JIEFangfang，QIAOLei (1 DepartmentofChemicalEngineering，ChongqingChemicalIndustryVocationalCollege，Chongqing400020； 2 ChongqingAcademyofEnvironmentalSciences，Chongqing401147) Abstract ThroughhydrothermalmethodMoS2wascoatedonsiliconnanowireswhichwerepreparedbymetal- catalyzedelectrolessetchingmethod．Theelectrochemicalreactioncurrentdensityofsiliconnanowires@MoS2array was6timeshigherthanbaresilicon nanowires．EIS resultsshowed thatthe charge transferresistanceofsilicon nanowires@MoS2arraywasonly1／2ofsiliconnanowirearrays．SiNWs@MoS2arrays—core／shellstructureprovideda new researchplatform forthestudyofelectrical，optical，mechanicaletc． Keywords siliconnanowiresarray，Mos2，core／shellstructure，hydrothermalmethod 容量达到了2600mAh／g，且 5O圈循环后容量无衰减 。Liu 0 引言 等[1通过模拟计算证实无定型硅包覆的硅纳米线阵列 a-Si 硅纳米线(Siliconnanowires，SiNWs)的小尺寸产生了量 @SiNWs能降低 8O 的热传导性，显示了在热电方面的应 子限域效应、非定域量子相干效应、非线性光学效应及库仑 用潜力。Kale等_1利用等离子辅助原子层沉积法制备了壳 阻塞效应，从而表现出了不同于体硅的性质，如光致发光性 厚为10nnl的SiNWs@ZnO核壳结构，该材料使电子场开启 能、场发射特性以及较低的热传导率等，使之在微、纳电子器 电压较未修饰的SiNWs下降了 1．5V／x／m。MoS2作为一种 件中具有巨大的应用价值[1]。硅纳米线阵列 (S Wsarray) 典型的二维材料因其在电子传输、润滑、催化等领域的优异 不但具