300mm 硅晶圆上III-V 族CMOS 晶体管的逻辑应用 - 化合物半导体.PDFVIP

技术 | Technology – III-V CMOS技术 300mm 硅晶圆上 III-V 族 CMOS 晶体管的逻辑应用 InGaAs MOSFET 一般是指在 300mm 硅晶圆上来制作 III-V 族晶体 管，它具有未来技术应用所感兴趣的沟道材料。 MAO-LIN HUNAG, SHANG-WEN CHANG, CHUN-HSIUNG LIN, HOWARD C.-H. WANG, 和 CARLOS H. DIAZ; TSMC 台积公司 过去五十年来半导体产业的成功得益于 这种替代有可能提高导通态的电流，这是由于在 MOSFET 的小型化，晶体管的尺寸还在不 低电场下III-V 族化合物材料的载流子具有更好 断地缩小，以满足应用所需求的器件高性能和低 的输运特性。这就使得III-V 族沟道器件在低功耗、 功耗。 高性能的应用中显示出巨大的发展潜力。然而， 今天，半