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2017-07-03 发布于河南
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BF1101WR,135;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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BF1101WR,135;中文规格书,Datasheet资料

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF1101; BF1101R; BF1101WR N-channel dual-gate MOS-FETs Product specification 1999 May 14 Supersedes data of 1999 Feb 01 / NXP Semiconductors Product specification BF1101; BF1101R; N-channel dual-gate MOS-FETs BF1101WR FEATURES PINNING  Short channel transistor with high PIN DESCRIPTION handbook, 2 columns 3 4 forward transfer admittance to input 1 source capacitance ratio 2 drain  Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz 3 gate 2 2 1  Partly internal self-biasing circuit to 4 gate 1 ensure good cross-modulation Top view MSB035 performance during AGC and good DC stabilization. BF1101R marking code: NCp. APPLICATIONS Fig.2 Simplified outline (SOT143R).  VHF an