ti（cr）缓冲层对用于垂直磁记录材料cocrta 介质磁特性和 - 物理学报.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 #% 7 4 7 ， ， ， U-= 2#% P- 2 7 V0.@ 4 （ ） $;7(,4,#% 7 , $47;# 9+/9 KRS)T+9 )TPT+9 !4 +@*B 2 K@MI 2 )- 2 （ ）缓冲层对用于垂直磁记录材料 ! #$ #%#$! 介质磁特性和微结构的影响! ! 甄聪棉 马 丽 张金娟 刘 英 聂向富 （河北师范大学物理科学与信息工程学院，石家庄 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） % ’ % ( $ 利用直流对靶磁控溅射技术在单晶 衬底上制备了 （ ， ）介质材料 分别采用振动样品磁 )* +, +-+./0, ! ! 1 +. /* 2 强计、射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析 研究发现， 缓冲层有利于样品中 3 2 /* 晶粒的易轴垂直于膜面生长 以 为缓冲层的样品，颗粒尺寸和表面粗糙度较小，而且磁畴明显，说明以 为缓 +- 2 /* /* 冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录2 关键词： ，垂直磁记录，缓冲层，微结构 +-+./0 ： ， ’(## 4##) 4#4+ ［，］ 力7 5 2 通常，作为纵向磁记录介质的+-+./0 通常以 引 言 为缓冲层 这是由于 结构的 在适当的制备 $H +. 2 D +. 条件下沿 （ ）和 （ ）晶面取向生长，它们分别 $$ 磁记录材料广泛用于计算机和电子设备中 随 2 与 结构的 （ ）和 （ ）晶面匹配，可以使 @L +- $ H $ H $ ［］ 着电子产业的迅速发展，单个记录位的面积越来越