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- 2017-07-03 发布于河南
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AO4620数据手册
AO4620
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description Features
The AO4620 uses advanced trench n-channel p-channel
technology MOSFETs to provide excellent VDS (V) = 30V -30V
RDS(ON) and low gate charge. The ID = 7.2A (VGS=10V) -5.3A (VGS = -10V)
complementary MOSFETs may be used in RDS(ON) RDS(ON)
inverter and other applications.Standard 24mΩ (VGS=10V) 38mΩ (VGS = -10V)
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