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· 60 · 材料导报 B:研究篇 2012年 4月(下)第26卷第 4期
磁控溅射 MoO3半导体功能薄膜的制备与结构性能研究
刘云辉 ,王 波
(北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室,北京 100124)
摘要 采用射频磁控溅射技术分别在 Si(100)和玻璃衬底上通过调整不同的溅射功率和退火温度成功制备了
MoOa薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜、紫外可见光分光光度计、接触角测量等进行了表征和分析。x射线衍射表
明400~C以上沉积的MoO。结晶薄膜属正交晶系,沿(OkO)(是一2n)取向择优生长,衍射峰强度和薄膜的结晶度随溅射
功率的提高逐渐增强;利用扫描电镜观察表面形貌,发现结晶的薄膜表面发生了不同程度的变化,由初期均匀分布的
纳米细长状颗粒长大成二维片状结构;紫外可见光分光光度计测试表明,薄膜在可见光区具有良好的光学透过性,平
均透过率达6o 以上;接触角测量发现薄膜呈明显亲水性,通过后续的表面氟化改性热处理,实现了薄膜亲水一疏水
的润湿性能转换 。
关键词 MoOa薄膜 射频磁控溅射 微结构 接触角
中图分类号:TB43;TN305 文献标识码 :A
StructureandPropertiesofM oOaFunctionalThinFilmsPrepared
byRFM agnetronSputtering
LIU Yunhui,WANG Bo
(ThinFilmsLaboratory,CollegeofMaterialsScienceandEngineering,BeijingUniversityofTechnology,Beijing100124)
Abstract MoO3thinfilmsweresuccessfullypreparedbyRFmagnetronsputteringonSi(100)andglasssub—
strates,respectively,withdifferentpowersandannealedtemperatures.Theresultsofthinfilmswerecharacterized
withX-raydiffraction(XRD).scanningelectronmicroscopy(SEM)。u1traviole卜vis|blespectroscopy(UV-Vis),con—
tactanglemeasurement.X-ray diffraction studiesrevealedthatcrystallinefilmspreparedunderdifferentsputtering
powershowedthepresenceof(OkO)preferentialorientationindicatedthestructureofmphaseMoO3,anddiffraction
peakandcrystallinityweregraduallystrengthenedwiththeincreasingsputterpower.Originalnano-clubshapeparti—
clesdispersedonMoO3filmssurfaceandthengraduallygrew uptolamellarstructures.Transmittanceofthefilms
testedbyUV—Vis,wasfavorable,averagetransmittancewasover60 .Hydrophilicityoffilmsweredemonstratedvia
CAM ,andaftermodificationoflow surfaceenergymatterandthermaltreatment,wettabilityconversionfrom hydro—
philicitytohydrophobicitywasrealized.
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