第7章光显示及器件试卷.ppt

* 3. AC-PDP的驱动 由驱动电路、显示控制电路和电源组成。 * 彩色等离子体显示 * PDP一般采用时间调制技术实现有灰度层次的图像显示。 “子场扫描法” * 电致发光显示 电致发光（Electro luminescence, EL）是将电能直接转换成光能的一种物理现象。 电致发光按激发过程不同可分为两大类： 注入电致发光——在半导体PN结加正偏压时产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光 。 * 高场电致发光——将发光材料粉末与介质的混合体或单晶薄膜夹持于透明电极板之间，外施电压，由电场直接激励电子与空穴复合而发光，高场电致发光又分交流和直流两种，如粉末型交流电致发光与粉末型直流电致发光。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * * 1985年～1990年,LCD销售额年均增长率达32%。此阶段发展最快的是STN-LCD,它从发明到批量生产仅用了五年时间。 由于STN-LCD具有扫描线多、视角较宽、对比度好等特点 ,很快在大信息容量显示的膝上型、笔记本型、掌上型微机及中英文打字机、图形处理机、电子翻译机及其它办公和通信设备（手机）中获得广泛应用,并成为该时代的主流产品。 1990年销售额15亿美元,占整个LCD市场的83%。 有源矩阵液晶显示器件（AM-LCD） 属于第4代液晶显示器。 普通简单矩阵液晶显示器TN型及STN型的电光特性，对多路、视频运动图像的显示很难满足要求。 有所谓的“交叉效应”。由于每个像素相当于一个电容，必产生串扰。当一个像素被先通时，相邻行，列像素将处于半选通状态。 人们在第一个像素上设计一个非线性的有源器件，使每个像素可以被独立驱动，克服了“交叉效应”。 MIM液晶显示器件的电极排布 有源矩阵液晶显示采用了像质最优的扭曲向列型液晶显示材料。有源矩阵液晶显示根据有源器件的种类分为二端型和三端型两种。 二端型以MIM（金属-绝缘体-金属）二极管阵列为主； 三端型以薄膜晶体管（TFT）为主。 α-SiTFT 属于非晶硅-薄膜晶体管类型的三端有源矩阵液晶显示器件。 它工艺简单， 玻璃基板成本低， 导通比大， 可靠性高， 容易大面积化。 TFT有源矩阵驱动LCD的基本结构 1-显示电极；2-玻璃基板；3-透明电极；4-液晶层； 5-MOSFET阵列；6-基板；7-信号存储电容器；8-FET 同一般液晶显示器类似，两片玻璃板之间封入普通TN型液晶， 不同的是在玻璃基板上要放置扫描线和寻址线（行、列线），在交点上再制作上TFT有源器件和像素电极。上玻璃板是一共用电极，如果是彩色显示，则还要在上面用微细加工方式（染色法，或印刷法）制作上与下面矩阵对应的R、G、B滤色膜。TFT的栅极G接扫描电压主，漏极D接信号电压，源极S接ITO像素电极，与液晶像素串联，液晶像素可以等效成一个电阻RLC和一电容CLC的并联。 TFT有源矩阵显示器件像素等效电路及驱动波形 CGP-分布电容；CST-补偿电容；RON-导通电阻；ROFF-截止电阻 当扫描脉冲加到栅极G时，使D-S导通，内阻变小，信号电压产生大的通态电流ION，并使CLC很快充电到信号电压。 当CLC充电电压均方根值Vrms大于液晶像素的阈值电压Vth时，该像素显示，并通过RLC缓慢放电； 由这样的“存储效应”使一个帧周期内Vrms≥Vth，即显示占空比为1:1。 由于三端器件的通态电流更大，开路电阻更高，开关特性更陡，因此比二端器件的显示性能也更好。 1985年后，由于超扭曲液晶显示器的发明及a-SiTFT液晶显示技术的突破，LCD技术进入了大容量化的新阶段，使便携计算机和液晶电视等新产品得以开发，并迅速商品化。LCD市场需求量大幅度增长。 背照灯 液晶显示器是被动显示器件，本身不会发光，往往工作在透光模式下。 因此，为了了获得高对比度与全色显示，需要采用背照明光源。 由于背照光源的功率是整个器件的90%以上，因此体积和功率是首先要考此的因素。 边光式背光源结构图 目前采用的背照光源主要有： 1）热电致发光板EL 2）平板荧光灯（VFD） 3）冷阴极荧光灯（CCF） 4）平板场发射（FED） 5）有机电致发光（OEL）等。 照明方式又分为边光式与背光式背光式两种。 * 等离子体显示 一、什么是等离子体? 所谓等离子