第八章压阻式传感器-副本试卷.ppt

第8章 压阻式传感器 8.1 压阻式传感器的工作原理 8.2 晶向的表示方法 8.3 压阻系数 8.4 影响压阻系数的因素 8.5 压阻式传感器的结构与设计 8.5.1 压阻式压力传感器 8.5.2 压阻式加速度传感器 8.6 压阻式传感器的测量电路及补偿 8.6.1 恒压源供电 8.6.2 恒流源供电 8.6.3 减小在扩散工艺中的温度影响 8.7 压阻式传感器的应用 · § § § § § 压阻式传感器：是利用固体的压阻效应制成的一种测量装置。 压阻效应：固体受到力的作用后，其电阻率（或电阻）就要发生变化，这种现象称为压阻效应。 分类: 粘贴型压阻式传感器：传感元件是用半导体材料的体电阻制成的粘贴式应变片。 扩散型压阻式传感器：传感元件是利用集成电路，在半导体材料的基片上制成的扩散电阻。 X 压阻式传感器 8.1 压阻式传感器的工作原理 任何材料电阻的变化率都由下式决定 对金属，?ρ/ρ较小，而Δl/l、Δs/s较大，即尺寸的变化率较大，故金属电阻的变化率主要是由Δl/l、Δs/s两项引起，这就是金属应变片的基本工作原理。 对半导体，Δl/l、Δs/s两项很小，即尺寸的变化率很小，?ρ/ρ一项较大，也就是电阻率变化率较大，故半导体电阻的变化率主要是由?ρ/ρ一项引起的，这就是压阻式传感器的基本工作原理。 X 如果引用 p ----为压阻系数，s -----应力，再引进横向变形的关系，则电阻的相对变化率可写成 式中 k——灵敏系数；μ----为泊松系数，ε---应变 E----弹性模量。 X 对金属，πE可忽略不计，而泊松系数μ= 0.25～0.5，故近似地有 ； 对半导体，1+2μ可忽略不计，而压阻系数π=（40～80）×10-11Pa，弹性模量E = 1.67×1011Pa，故 式中 ky——半导体材料的灵敏系数。 结论：半导体材料电阻变化率ΔR/R主要是由Δr/r 引起的，这就是半导体的压阻效应。 当力作用于硅晶体时，晶格产生变形，载流子的迁移率发生变化，使硅的电阻率发生变化。 电阻变化率随硅晶体的取向不同而不同，即：硅的压阻效应与晶体的取向有关。 X 晶向、晶面、晶面族分别为 、（ ）、{ } 晶向、晶面、晶面族分别为111、（111）、{111} 晶向、晶面、晶面族分别为100、（100）、{100} X 晶向的表示方法 　　 对于同一个单晶硅晶体，不同晶面上原子分布不同、所表现的物理性质不同，压阻效应也不同。 硅压阻传感器的硅芯片选择： 压阻效应最大的晶向来布置电阻条。 常用的晶向为001、011、111三个晶向。 通常在这三个晶向上扩散电阻有最大压阻系数。 X 8.3 压阻系数 应力作用在单晶硅上，由于压阻效应，硅晶体的电阻发生变化。电阻的相对变化与应力的关系： 式中　 sl ——纵向应力； st ——横向应力； ss ——与纵向应力和横向应力垂直的应力。 pl ——纵向压阻系数；