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第2章 电力电子器件 第2章 电力电子器件·引言 2.1 电力电子器件概述 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 1)概念: 电力电子器件(Power Electronic Device) ——可直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路(Main Power Circuit) ——电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2)分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅) 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 低频时通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时,开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 2.1.2 电力电子器件的应用系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 电力电子器件概述 2.1.4 本章学习内容与学习要点 本章内容: 介绍各种器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。 集中讲述电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用这三个问题。 学习要点: 最重要的是掌握其基本特性。 掌握电力电子器件的型号命名法,以及其参数和特性曲线的使用方法。 可能会对主电路的其它电路元件有特殊的要求。 2.2 不可控器件—电力二极管Power Diode 2.2 不可控器件—电力二极管·引言 Power Diode结构和原理简单,工作可靠,自20世纪50年代初期就获得应用。 快恢复二极管和肖特基二极管,分别在中、高频整流和逆变,以及低压高频整流的场合,具有不可替代的地位。肖特基二极管恢复时间更短。 扩散运动:高浓度扩散到低浓度 漂移运动:有外电场作用 空间电荷区:势垒区、耗尽层、阻挡层。 电导调制效应:基片低参杂N区的欧姆电阻减少。 当二极管导通,正向电流较大时,空穴穿过P-N结进入N-区,并在N-区得到积累,浓度将很大,为了维持半导体电中性条件,其多子(电子)浓度也相应大幅度增加,使得其电阻率明显下降,这就是电导调制效应。 半导体二极管(见PN结基础知识) 电力二极管(Power Diode) 电力二极管 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 PN结的电荷量随外加电压而变化,呈现电容效应,称为结电容CJ,又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别分为: 势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容:只在外加电压变化时才起作用。 扩散电容:仅在二极管正向偏置时,载流子的扩散运动加强,在势垒区两侧的中性区将产生有非平衡载流子造成的电荷积累。正向电压越大,非平衡载流子的浓度越高形成扩散电容CD。正向电压越大, CD 越大,反偏时CD=0 电容影响PN结的工作频率,尤其是高速的开关状态。 2.2.2 电力二极管的基本特性 静态特性、动态特性 电力二极管(Power Diode) ⒉ 动态特性 因结电容的存在,电力二极管在零偏置、正向导通和反向截止这三个状态之间转换时,必然经过一个过渡过程,其电压、电流随时间变化的特性称为电力二极管的动态特性。 电力二极管(Power Diode) 电力二极管(Power Diode) 开通特性: 电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFP,经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值(如 2V)。 这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。 2.2.3 电力二极管的主要参数 额定电流——在指定的管壳温度和散热条件下,其允许流过的最大工频、正弦、半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的,使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额,并应留有一定的裕量。 换算关系:正弦半波电流的有效值I和平均值IF(AV)之比: 电力二极管(Power Diode) 指在规定+40℃的环境温度和标准散热条件下,元件结温达到额定且稳定时,容许长时间连续流过工频正弦半波电流的平均值。 2.2.3 电力二极管的主要参数 在指定温度下,流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 3) 反向重复峰值电压URRM 对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。通常是雪崩击穿电压的2/3。 使用时,应当留有两倍的裕量。 4)反向恢复时间trr trr= td+ tf 2.2.3 电力二极管的主要参数 结温是指管芯PN结的平均温度,用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。 6) 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 (浪涌电流指电源接通瞬间,流入电源设备
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